Perbezaan antara MOSFET saluran-N dan MOSFET saluran-P! Bantu anda memilih pengeluar MOSFET dengan lebih baik!

Pereka bentuk litar mesti mempertimbangkan soalan semasa memilih MOSFET: Patutkah mereka memilih MOSFET saluran P atau MOSFET saluran N? Sebagai pengilang, anda mesti mahu produk anda bersaing dengan peniaga lain pada harga yang lebih rendah, dan anda juga perlu membuat perbandingan berulang. Jadi bagaimana untuk memilih? OLUKEY, pengeluar MOSFET dengan pengalaman selama 20 tahun, ingin berkongsi dengan anda.

Perbezaan 1: ciri pengaliran

Ciri-ciri MOS saluran-N ialah ia akan dihidupkan apabila Vgs lebih besar daripada nilai tertentu. Ia sesuai digunakan apabila punca dibumikan (pemacu akhir rendah), selagi voltan get mencapai 4V atau 10V. Bagi ciri-ciri MOS saluran P, ia akan dihidupkan apabila Vgs kurang daripada nilai tertentu, yang sesuai untuk situasi apabila sumber disambungkan ke VCC (pemacu high-end).

Perbezaan 2:MOSFETkehilangan penukaran

Sama ada MOS saluran-N atau MOS saluran-P, terdapat rintangan-hidup selepas ia dihidupkan, jadi arus akan menggunakan tenaga pada rintangan ini. Bahagian tenaga yang digunakan ini dipanggil kehilangan pengaliran. Memilih MOSFET dengan rintangan pada yang kecil akan mengurangkan kehilangan pengaliran, dan rintangan pada MOSFET kuasa rendah semasa biasanya sekitar puluhan miliohm, dan terdapat juga beberapa miliohm. Di samping itu, apabila MOS dihidupkan dan dimatikan, ia tidak boleh disiapkan serta-merta. Terdapat proses menurun, dan arus yang mengalir juga mempunyai proses yang meningkat.

Dalam tempoh ini, kehilangan MOSFET adalah hasil daripada voltan dan arus, yang dipanggil kehilangan pensuisan. Biasanya kerugian pensuisan adalah lebih besar daripada kehilangan pengaliran, dan semakin tinggi frekuensi pensuisan, semakin besar kerugian. Hasil darab voltan dan arus pada saat pengaliran adalah sangat besar, dan kerugian yang disebabkan juga sangat besar, jadi memendekkan masa pensuisan mengurangkan kehilangan semasa setiap pengaliran; mengurangkan frekuensi pensuisan boleh mengurangkan bilangan suis setiap unit masa.

Perbezaan tiga: penggunaan MOSFET

Mobiliti lubang MOSFET saluran P adalah rendah, jadi apabila saiz geometri MOSFET dan nilai mutlak voltan kendalian adalah sama, transkonduktansi MOSFET saluran P adalah lebih kecil daripada MOSFET saluran N. Di samping itu, nilai mutlak voltan ambang MOSFET saluran P adalah agak tinggi, memerlukan voltan operasi yang lebih tinggi. MOS saluran P mempunyai ayunan logik yang besar, proses pengecasan dan nyahcas yang panjang, dan transkonduktans peranti kecil, jadi kelajuan operasinya lebih rendah. Selepas kemunculan MOSFET saluran-N, kebanyakannya telah digantikan oleh MOSFET saluran-N. Walau bagaimanapun, kerana MOSFET saluran P mempunyai proses yang mudah dan murah, sesetengah litar kawalan digital berskala sederhana dan kecil masih menggunakan teknologi litar PMOS.

Okay, itu sahaja perkongsian hari ini daripada OLUKEY, pengeluar MOSFET pembungkusan. Untuk maklumat lanjut, anda boleh menemui kami diOLUKEYlaman web rasmi. OLUKEY telah memberi tumpuan kepada MOSFET selama 20 tahun dan beribu pejabat di Shenzhen, Wilayah Guangdong, China. Terutamanya terlibat dalam transistor kesan medan arus tinggi, MOSFET kuasa tinggi, MOSFET pakej besar, MOSFET voltan kecil, MOSFET pakej kecil, MOSFET semasa kecil, tiub kesan medan MOS, MOSFET berpakej, MOS kuasa, pakej MOSFET, MOSFET asal, MOSFET berbungkus, dsb. . Produk ejen utama ialah WINSOK.