Kaedah pengeluaran litar pemacu MOSFET kuasa tinggi

Terdapat dua penyelesaian utama:

Salah satunya ialah menggunakan cip pemacu khusus untuk memacu MOSFET, atau penggunaan pengganding foto pantas, transistor membentuk litar untuk memacu MOSFET, tetapi pendekatan jenis pertama memerlukan penyediaan bekalan kuasa bebas; jenis lain pengubah nadi untuk memacu MOSFET, dan dalam litar pemacu nadi, bagaimana untuk meningkatkan frekuensi pensuisan litar pemacu untuk meningkatkan kapasiti pemanduan, sejauh mungkin, untuk mengurangkan bilangan komponen, adalah keperluan mendesak untuk menyelesaikanMasalah semasa.

Jenis pertama skim pemacu, separuh jambatan memerlukan dua bekalan kuasa bebas; jambatan penuh memerlukan tiga bekalan kuasa bebas, kedua-dua jambatan separuh dan jambatan penuh, terlalu banyak komponen, tidak kondusif untuk pengurangan kos.

Jenis kedua program pemanduan, dan paten adalah seni terdahulu yang paling hampir untuk nama ciptaan "kuasa tinggiMOSFET litar pemacu" paten (nombor permohonan 200720309534. 8), paten hanya menambah rintangan pelepasan untuk melepaskan sumber pintu cas MOSFET berkuasa tinggi, untuk mencapai tujuan menutup, kelebihan jatuh isyarat PWM adalah besar. kelebihan jatuh isyarat PWM adalah besar, yang akan membawa kepada penutupan perlahan MOSFET, kehilangan kuasa adalah sangat besar;

Di samping itu, kerja MOSFET program paten terdedah kepada gangguan, dan cip kawalan PWM perlu mempunyai kuasa keluaran yang besar, menjadikan suhu cip adalah tinggi, menjejaskan hayat perkhidmatan cip. Kandungan ciptaan Tujuan model utiliti ini adalah untuk menyediakan litar pemacu MOSFET berkuasa tinggi, berfungsi lebih stabil dan sifar untuk mencapai tujuan penyelesaian teknikal ciptaan model utiliti ini - litar pemacu MOSFET berkuasa tinggi, output isyarat cip kawalan PWM disambungkan kepada pengubah nadi utama, iaitu keluaran pertama of pengubah nadi sekunder disambungkan ke get MOSFET pertama, keluaran kedua pengubah nadi sekunder disambungkan ke get MOSFET pertama, keluaran kedua pengubah nadi sekunder disambungkan ke get MOSFET pertama. Keluaran pertama pengubah nadi sekunder disambungkan ke pintu MOSFET pertama, keluaran kedua pengubah nadi sekunder disambungkan ke pintu MOSFET kedua, dicirikan bahawa output pertama pengubah nadi sekunder juga disambungkan kepada transistor nyahcas pertama, dan output kedua pengubah nadi sekunder juga disambungkan kepada transistor nyahcas kedua. Bahagian utama pengubah nadi juga disambungkan ke litar simpanan dan pelepas tenaga.

Litar pelepas storan tenaga termasuk perintang, kapasitor dan diod, perintang dan kapasitor disambung secara selari, dan litar selari yang disebutkan di atas disambung secara bersiri dengan diod. Model utiliti mempunyai kesan yang menguntungkan Model utiliti juga mempunyai transistor nyahcas pertama yang disambungkan ke output pertama pengubah sekunder, dan transistor nyahcas kedua disambungkan ke output kedua pengubah nadi, supaya apabila pengubah nadi mengeluarkan output yang rendah tahap, MOSFET pertama dan MOSFET kedua boleh dilepaskan dengan cepat untuk meningkatkan kelajuan penutupan MOSFET, dan untuk mengurangkan kehilangan MOSFET. Isyarat cip kawalan PWM disambungkan ke MOSFET penguatan isyarat antara output utama dan pengubah nadi utama, yang boleh digunakan untuk penguatan isyarat. Output isyarat cip kawalan PWM dan pengubah nadi utama disambungkan kepada MOSFET untuk penguatan isyarat, yang boleh meningkatkan lagi keupayaan memandu isyarat PWM.

Pengubah nadi utama juga disambungkan kepada litar pelepas storan tenaga, apabila isyarat PWM berada pada tahap rendah, litar pelepas storan tenaga membebaskan tenaga yang disimpan dalam pengubah nadi apabila PWM berada pada tahap tinggi, memastikan bahawa pintu masuk sumber MOSFET pertama dan MOSFET kedua adalah sangat rendah, yang memainkan peranan dalam mencegah gangguan.

Dalam pelaksanaan khusus, MOSFET Q1 berkuasa rendah untuk penguatan isyarat disambungkan antara terminal keluaran isyarat A cip kawalan PWM dan pengubah nadi utama Tl, terminal keluaran pertama pengubah nadi sekunder disambungkan ke pintu MOSFET Q4 pertama melalui diod D1 dan perintang pemacu Rl, terminal keluaran kedua pengubah nadi sekunder disambungkan ke pintu MOSFET Q5 kedua melalui diod D2 dan perintang pemacu R2, dan terminal keluaran pertama pengubah nadi sekunder juga disambungkan ke triod longkang pertama Q2, dan triod longkang kedua Q3 juga disambungkan ke triod longkang kedua Q3. MOSFET Q5, terminal keluaran pertama pengubah nadi sekunder juga disambungkan kepada transistor longkang pertama Q2, dan terminal keluaran kedua pengubah nadi sekunder juga disambungkan kepada transistor longkang kedua Q3.

Pintu MOSFET Q4 pertama disambungkan ke perintang saliran R3, dan pintu MOSFET Q5 kedua disambungkan ke perintang longkang R4. primer pengubah nadi Tl juga disambungkan kepada litar storan dan pelepas tenaga, dan litar penyimpanan dan pelepas tenaga termasuk perintang R5, kapasitor Cl, dan diod D3, dan perintang R5 dan kapasitor Cl disambungkan dalam selari, dan litar selari yang disebutkan di atas disambung secara bersiri dengan diod D3. output isyarat PWM daripada cip kawalan PWM disambungkan kepada MOSFET Q2 berkuasa rendah, dan MOSFET Q2 berkuasa rendah disambungkan ke sekunder pengubah nadi. dikuatkan oleh MOSFET Ql berkuasa rendah dan keluaran kepada primer pengubah denyut Tl. Apabila isyarat PWM tinggi, terminal keluaran pertama dan terminal keluaran kedua sekunder pengubah denyut Tl mengeluarkan isyarat tahap tinggi untuk memacu MOSFET Q4 pertama dan MOSFET Q5 kedua untuk dijalankan.

Apabila isyarat PWM rendah, keluaran pertama dan keluaran kedua pengubah denyut Tl keluaran sekunder isyarat tahap rendah, transistor longkang pertama Q2 dan pengaliran transistor longkang kedua Q3, kemuatan sumber get MOSFETQ4 pertama melalui perintang longkang R3, transistor longkang pertama Q2 untuk nyahcas, kemuatan sumber get MOSFETQ5 kedua melalui perintang longkang R4, transistor longkang kedua Q3 untuk nyahcas, yang kedua Kemuatan sumber get MOSFETQ5 melalui perintang longkang R4, transistor longkang kedua Q3 untuk nyahcas, kemuatan sumber get MOSFETQ5 kedua melalui perintang longkang R4, transistor longkang kedua Q3 untuk nyahcas. Kapasiti sumber get MOSFETQ5 kedua dilepaskan melalui perintang longkang R4 dan transistor longkang kedua Q3, supaya MOSFET Q4 pertama dan MOSFET Q5 kedua boleh dimatikan dengan lebih cepat dan kehilangan kuasa dapat dikurangkan.

Apabila isyarat PWM rendah, litar pelepas tenaga tersimpan yang terdiri daripada perintang R5, kapasitor Cl dan diod D3 membebaskan tenaga tersimpan dalam pengubah nadi apabila PWM tinggi, memastikan sumber get MOSFET Q4 pertama dan MOSFET kedua Q5 adalah sangat rendah, yang berfungsi untuk tujuan anti-gangguan. Diod Dl dan diod D2 menjalankan arus keluaran secara satu arah, dengan itu memastikan kualiti bentuk gelombang PWM, dan pada masa yang sama, ia juga memainkan peranan anti-gangguan pada tahap tertentu.