Apa itu PMOSFET, tahukah anda?

I. Struktur asas dan prinsip kerja

1. Struktur asas

PMOSFET mempunyai substrat jenis-n dan saluran-p, dan strukturnya terutamanya terdiri daripada pintu (G), sumber (S) dan longkang (D). Pada substrat silikon jenis-n, terdapat dua kawasan P+ yang masing-masing berfungsi sebagai sumber dan longkang, dan ia disambungkan antara satu sama lain melalui saluran-p. Gerbang terletak di atas saluran dan diasingkan daripada saluran oleh lapisan penebat oksida logam.

2. Prinsip operasi

PMOSFET beroperasi sama seperti NMOSFET, tetapi dengan jenis pembawa yang bertentangan. Dalam PMOSFET, pembawa utama adalah lubang. Apabila voltan negatif dikenakan pada pintu berkenaan dengan sumber, lapisan songsang jenis-p terbentuk pada permukaan silikon jenis-n di bawah pintu gerbang, yang berfungsi sebagai parit yang menyambungkan sumber dan longkang. Menukar voltan pintu mengubah ketumpatan lubang dalam saluran, dengan itu mengawal kekonduksian saluran. Apabila voltan get cukup rendah, ketumpatan lubang dalam saluran mencapai tahap yang cukup tinggi untuk membolehkan pengaliran antara punca dan longkang; sebaliknya, saluran terputus.

II. Ciri dan aplikasi

1. Ciri-ciri

Mobiliti Rendah: Transistor MOS saluran P mempunyai mobiliti lubang yang agak rendah, jadi transkonduktans transistor PMOS adalah lebih kecil daripada transistor NMOS di bawah geometri dan voltan operasi yang sama.

Sesuai untuk aplikasi berkelajuan rendah, frekuensi rendah: Oleh kerana mobiliti yang lebih rendah, litar bersepadu PMOS lebih sesuai untuk aplikasi di kawasan berkelajuan rendah dan frekuensi rendah.

Keadaan pengaliran: Keadaan pengaliran PMOSFET adalah bertentangan dengan NMOSFET, memerlukan voltan get lebih rendah daripada voltan sumber.

 

1. Aplikasi

Pensuisan Sisi Tinggi: PMOSFET biasanya digunakan dalam konfigurasi pensuisan sisi tinggi di mana punca disambungkan ke bekalan positif dan longkang disambungkan ke hujung positif beban. Apabila PMOSFET mengalir, ia menghubungkan hujung positif beban kepada bekalan positif, membolehkan arus mengalir melalui beban. Konfigurasi ini sangat biasa dalam bidang seperti pengurusan kuasa dan pemacu motor.

Litar Perlindungan Terbalik: PMOSFET juga boleh digunakan dalam litar perlindungan terbalik untuk mengelakkan kerosakan pada litar yang disebabkan oleh bekalan kuasa terbalik atau aliran balik arus beban.

III. Reka bentuk dan pertimbangan

1. KAWALAN VOLTAN GATE

Apabila mereka bentuk litar PMOSFET, kawalan tepat voltan pintu diperlukan untuk memastikan operasi yang betul. Oleh kerana keadaan pengaliran PMOSFET adalah bertentangan dengan keadaan NMOSFET, perhatian perlu diberikan kepada kekutuban dan magnitud voltan get.

2. Muatkan sambungan

Apabila menyambungkan beban, perhatian perlu diberikan kepada kekutuban beban untuk memastikan arus mengalir dengan betul melalui PMOSFET, dan kesan beban pada prestasi PMOSFET, seperti penurunan voltan, penggunaan kuasa, dsb. , juga perlu dipertimbangkan.

3. Kestabilan suhu

Prestasi PMOSFET sangat dipengaruhi oleh suhu, jadi kesan suhu pada prestasi PMOSFET perlu diambil kira semasa mereka bentuk litar, dan langkah yang sepadan perlu diambil untuk meningkatkan kestabilan suhu litar.

4. Litar perlindungan

Untuk mengelakkan PMOSFET daripada rosak akibat lebihan arus dan lebihan voltan semasa operasi, litar perlindungan seperti perlindungan arus lebih dan perlindungan voltan lampau perlu dipasang dalam litar. Litar perlindungan ini boleh melindungi PMOSFET dengan berkesan dan memanjangkan hayat perkhidmatannya.

 

Secara ringkasnya, PMOSFET ialah sejenis MOSFET dengan struktur khas dan prinsip kerja. Mobiliti rendah dan kesesuaiannya untuk aplikasi berkelajuan rendah, frekuensi rendah menjadikannya boleh digunakan secara meluas dalam bidang tertentu. Apabila mereka bentuk litar PMOSFET, perhatian perlu diberikan kepada kawalan voltan pintu, sambungan beban, kestabilan suhu dan litar perlindungan untuk memastikan operasi dan kebolehpercayaan litar yang betul.