Apabila mereka bentuk bekalan kuasa pensuisan atau litar pemacu motor menggunakanMOSFET, faktor seperti pada rintangan, voltan maksimum dan arus maksimum MOS biasanya dipertimbangkan.
Tiub MOSFET ialah sejenis FET yang boleh dibuat sama ada sebagai jenis peningkatan atau penyusutan, saluran P atau saluran N untuk sejumlah 4 jenis. NMOSFET peningkatan dan PMOSFET peningkatan biasanya digunakan, dan kedua-dua ini biasanya disebut.
Kedua-dua ini lebih biasa digunakan ialah NMOS. sebabnya ialah rintangan konduktif adalah kecil dan mudah untuk dihasilkan. Oleh itu, NMOS biasanya digunakan dalam menukar bekalan kuasa dan aplikasi pemacu motor.
Di dalam MOSFET, thyristor diletakkan di antara longkang dan punca, yang sangat penting dalam memacu beban induktif seperti motor, dan hanya terdapat dalam satu MOSFET, tidak biasanya dalam cip litar bersepadu.
Kapasiti parasit wujud di antara tiga pin MOSFET, bukan kerana kita memerlukannya, tetapi disebabkan oleh keterbatasan proses pembuatan. Kehadiran kapasitansi parasit menjadikannya lebih rumit apabila mereka bentuk atau memilih litar pemacu, tetapi ia tidak boleh dielakkan.
Parameter utama bagiMOSFET
1, voltan terbuka VT
Voltan terbuka (juga dikenali sebagai voltan ambang): supaya voltan pintu yang diperlukan untuk mula membentuk saluran konduktif antara sumber S dan longkang D; MOSFET saluran N standard, VT adalah kira-kira 3 ~ 6V; melalui penambahbaikan proses, nilai MOSFET VT boleh dikurangkan kepada 2 ~ 3V.
2, rintangan input DC RGS
Nisbah voltan yang ditambah antara kutub punca get dan arus get Ciri ini kadangkala dinyatakan oleh arus get yang mengalir melalui get, RGS MOSFET dengan mudah boleh melebihi 1010Ω.
3. Voltan BVDS kerosakan punca longkang.
Di bawah keadaan VGS = 0 (dipertingkatkan), dalam proses meningkatkan voltan sumber saliran, ID meningkat secara mendadak apabila VDS dipanggil voltan pecahan sumber saliran BVDS, ID meningkat dengan mendadak disebabkan oleh dua sebab: (1) longsoran pecahan lapisan susutan berhampiran longkang, (2) pecahan penembusan antara longkang dan tiang punca, beberapa MOSFET, yang mempunyai panjang parit yang lebih pendek, meningkatkan VDS supaya lapisan longkang di kawasan longkang diperluas ke kawasan sumber, menjadikan Panjang Saluran adalah sifar, iaitu, untuk menghasilkan penembusan sumber saliran, penembusan, kebanyakan pembawa di kawasan sumber akan tertarik secara langsung oleh medan elektrik lapisan penyusutan ke kawasan longkang, menghasilkan ID yang besar .
4, voltan kerosakan sumber pintu BVGS
Apabila voltan get dinaikkan, VGS apabila IG dinaikkan daripada sifar dipanggil voltan pecahan punca get BVGS.
5、Transkonduktans frekuensi rendah
Apabila VDS ialah nilai tetap, nisbah mikrovariasi arus saliran kepada mikrovariasi voltan punca get yang menyebabkan perubahan dipanggil transkonduktans, yang mencerminkan keupayaan voltan punca get mengawal arus longkang, dan merupakan satu parameter penting yang mencirikan keupayaan amplifikasiMOSFET.
6, RON pada rintangan
RON pada rintangan menunjukkan kesan VDS pada ID, adalah songsang cerun garis tangen ciri-ciri longkang pada titik tertentu, di kawasan tepu, ID hampir tidak berubah dengan VDS, RON adalah sangat besar nilai, secara amnya dalam puluhan kilo-Ohms hingga ratusan kilo-Ohms, kerana dalam litar digital, MOSFET sering berfungsi dalam keadaan VDS konduktif = 0, jadi pada ketika ini, RON pada rintangan boleh dianggarkan dengan asal RON kepada anggaran, untuk MOSFET am, nilai RON dalam beberapa ratus ohm.
7, kemuatan antara kutub
Kapasiti interpolar wujud di antara tiga elektrod: kapasitans sumber get CGS, kapasitans longkang pintu CGD dan kapasitans sumber longkang CDS-CGS dan CGD adalah kira-kira 1~3pF, CDS adalah kira-kira 0.1~1pF.
8、Faktor hingar frekuensi rendah
Kebisingan disebabkan oleh penyelewengan dalam pergerakan pembawa dalam saluran paip. Kerana kehadirannya, variasi voltan atau arus yang tidak teratur berlaku pada output walaupun tiada isyarat yang dihantar oleh penguat. Prestasi hingar biasanya dinyatakan dari segi faktor hingar NF. Unitnya ialah desibel (dB). Semakin kecil nilainya, semakin kurang bunyi yang dihasilkan oleh tiub. Faktor hingar frekuensi rendah ialah faktor hingar yang diukur dalam julat frekuensi rendah. Faktor hingar bagi tiub kesan medan adalah kira-kira beberapa dB, kurang daripada triod bipolar.
Masa siaran: Apr-24-2024
