Apakah kegunaan MOSFET?

MOSFETdigunakan secara meluas. Kini beberapa litar bersepadu berskala besar digunakan MOSFET, fungsi asas dan transistor BJT, adalah pensuisan dan penguatan. Pada asasnya triod BJT boleh digunakan di mana ia boleh digunakan, dan di beberapa tempat prestasinya lebih baik daripada triod.

 

Penguatan MOSFET

MOSFET dan BJT triod, walaupun kedua-dua peranti penguat semikonduktor, tetapi lebih banyak kelebihan daripada triod, seperti rintangan input yang tinggi, sumber isyarat hampir tiada semasa, yang kondusif untuk kestabilan isyarat input. Ia adalah peranti yang ideal sebagai penguat peringkat input, dan juga mempunyai kelebihan bunyi yang rendah dan kestabilan suhu yang baik. Ia sering digunakan sebagai preamplifier untuk litar penguatan audio. Walau bagaimanapun, kerana ia adalah peranti arus terkawal voltan, arus longkang dikawal oleh voltan antara sumber pintu, pekali penguatan transkonduktans frekuensi rendah secara amnya tidak besar, jadi keupayaan penguatan adalah lemah.

 

Kesan penukaran MOSFET

MOSFET digunakan sebagai suis elektronik, kerana hanya bergantung pada kekonduksian polion, tidak ada triod seperti BJT kerana arus asas dan kesan penyimpanan caj, jadi kelajuan pensuisan MOSFET lebih cepat daripada triod, sebagai tiub pensuisan sering digunakan untuk keadaan semasa tinggi frekuensi tinggi, seperti menukar bekalan kuasa yang digunakan dalam MOSFET dalam keadaan arus tinggi frekuensi tinggi kerja. Berbanding dengan suis triod BJT, suis MOSFET boleh beroperasi pada voltan dan arus yang lebih kecil, dan lebih mudah untuk disepadukan pada wafer silikon, jadi ia digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar.

Apakah langkah berjaga-jaga semasa menggunakanMOSFET?

MOSFET adalah lebih halus daripada triod dan boleh rosak dengan mudah oleh penggunaan yang tidak betul, jadi penjagaan khusus harus diambil apabila menggunakannya.

(1) Adalah perlu untuk memilih jenis MOSFET yang sesuai untuk keadaan penggunaan yang berbeza.

(2) MOSFET, terutamanya MOSFET pintu terlindung, mempunyai impedans masukan yang tinggi, dan harus dipendekkan ke setiap elektrod apabila tidak digunakan untuk mengelakkan kerosakan pada tiub akibat cas aruhan pintu.

(3) Voltan sumber get bagi MOSFET simpang tidak boleh diterbalikkan, tetapi boleh disimpan dalam keadaan litar terbuka.

(4) Untuk mengekalkan impedans input tinggi MOSFET, tiub harus dilindungi daripada kelembapan dan dikekalkan kering dalam persekitaran penggunaan.

(5) Objek bercas (seperti besi pematerian, instrumen ujian, dll.) yang bersentuhan dengan MOSFET perlu dibumikan untuk mengelakkan kerosakan pada tiub. Terutamanya apabila mengimpal MOSFET pintu terlindung, mengikut sumber - susunan urutan pintu kimpalan, adalah lebih baik untuk mengimpal selepas dimatikan. Kuasa besi pematerian kepada 15 ~ 30W adalah sesuai, masa kimpalan tidak boleh melebihi 10 saat.

(6) MOSFET pintu bertebat tidak boleh diuji dengan multimeter, hanya boleh diuji dengan penguji, dan hanya selepas akses kepada penguji untuk mengeluarkan pendawaian litar pintas elektrod. Apabila dialih keluar, elektrod perlu di litar pintas sebelum ditanggalkan untuk mengelakkan terjual pintu.

(7) Apabila menggunakanMOSFETdengan petunjuk substrat, petunjuk substrat harus disambungkan dengan betul.