Apakah empat wilayah MOSFET?

 

Empat kawasan MOSFET peningkatan saluran-N

(1) Kawasan rintangan boleh ubah (juga dipanggil kawasan tak tepu)

Ucs" Ucs (th) (voltan hidupkan), uDs" UGs-Ucs (th), ialah kawasan di sebelah kiri surih praclamp dalam rajah tempat saluran dihidupkan. Nilai UD adalah kecil di rantau ini, dan rintangan saluran pada asasnya dikawal hanya oleh UG. Apabila uG pasti, ip dan uD menjadi hubungan linear, rantau ini dianggarkan sebagai satu set garis lurus. Pada masa ini, tiub kesan medan D, S antara setara dengan voltan UGS

Dikawal oleh rintangan berubah-ubah voltan UGS.

(2) rantau arus malar (juga dikenali sebagai rantau tepu, rantau amplifikasi, rantau aktif)

Ucs ≥ Ucs (h) dan Ubs ≥ UcsUssth), untuk rajah sebelah kanan trek pra-cubit, tetapi belum dipecahkan di rantau, di rantau, apabila uG mestilah, ib hampir tidak perubahan dengan UD, adalah ciri-ciri semasa malar. i hanya dikawal oleh UG, maka MOSFETD, S adalah bersamaan dengan kawalan voltan uG bagi sumber arus. MOSFET digunakan dalam litar penguatan, secara amnya pada kerja MOSFET D, S adalah bersamaan dengan sumber arus kawalan uG voltan. MOSFET yang digunakan dalam litar penguatan, secara amnya berfungsi di rantau ini, jadi juga dikenali sebagai kawasan penguatan.

(3) Kawasan pemotongan (juga dipanggil kawasan pemotongan)

Kawasan kliping (juga dikenali sebagai kawasan potong) untuk memenuhi ucs "Ues (th) untuk rajah berhampiran paksi mendatar rantau, saluran semuanya diapit, dikenali sebagai klip mati penuh, io = 0 , tiub tidak berfungsi.

(4) lokasi zon pecahan

Rantau pecahan terletak di rantau di sebelah kanan rajah. Dengan peningkatan UD, persimpangan PN tertakluk kepada terlalu banyak voltan terbalik dan kerosakan, ip meningkat dengan mendadak. Tiub harus dikendalikan untuk mengelakkan operasi di kawasan kerosakan. Keluk ciri pemindahan boleh diperoleh daripada keluk ciri keluaran. Mengenai kaedah yang digunakan sebagai graf untuk mencari. Sebagai contoh, dalam Rajah 3 (a) untuk garis menegak Ubs = 6V, persilangannya dengan pelbagai lengkung sepadan dengan nilai i, Us dalam koordinat ib- Uss yang disambungkan kepada lengkung, iaitu, untuk mendapatkan lengkung ciri pemindahan.

Parameter bagiMOSFET

Terdapat banyak parameter MOSFET, termasuk parameter DC, parameter AC dan parameter had, tetapi hanya parameter utama berikut yang perlu dibimbangkan dalam penggunaan biasa: voltan picit-off IDSS arus tepu, (tiub jenis simpang dan penyusutan -jenis tiub pintu bertebat, atau voltan hidupkan UT (tiub get bertebat bertetulang), gm transkonduktans, BUDS voltan pecah punca kebocoran, PDSM kuasa lesap maksimum dan IDSM arus sumber saliran maksimum.

(1) Arus longkang tepu

Arus saliran tepu IDSS ialah arus saliran dalam simpang atau susutan jenis get penebat MOSFET apabila voltan get UGS = 0.

(2) Voltan terputus

Voltan picit-off UP ialah voltan get dalam MOSFET bertebat jenis simpang atau jenis penyusutan yang hanya terputus antara longkang dan punca. Seperti yang ditunjukkan dalam 4-25 untuk tiub saluran N UGS keluk ID, boleh difahami untuk melihat kepentingan IDSS dan UP

MOSFET empat wilayah

(3) Voltan hidupkan

Voltan hidup UT ialah voltan pintu dalam MOSFET pintu bertebat bertetulang yang menjadikan sumber antara longkang hanya konduktif.

(4) Transkonduktansi

Transkonduktans gm ialah keupayaan mengawal voltan sumber get UGS pada ID arus longkang, iaitu nisbah perubahan dalam ID arus longkang kepada perubahan voltan punca get UGS. 9m ialah parameter penting yang menimbang keupayaan amplifikasiMOSFET.

(5) Voltan kerosakan punca longkang

Punca longkang voltan pecahan BUDS merujuk kepada voltan sumber pintu UGS tertentu, MOSFET operasi normal boleh menerima voltan sumber longkang maksimum. Ini ialah parameter had, ditambah kepada voltan pengendalian MOSFET mestilah kurang daripada BUDS.

(6) Pelesapan Kuasa Maksimum

Pelesapan kuasa maksimum PDSM juga merupakan parameter had, merujuk kepadaMOSFETprestasi tidak merosot apabila pelesapan kuasa sumber kebocoran maksimum yang dibenarkan. Apabila menggunakan MOSFET penggunaan kuasa praktikal hendaklah kurang daripada PDSM dan meninggalkan margin tertentu.

(7) Arus Parit Maksimum

IDSM arus kebocoran maksimum adalah parameter had lain, merujuk kepada operasi biasa MOSFET, sumber kebocoran arus maksimum yang dibenarkan melalui arus operasi MOSFET tidak boleh melebihi IDSM.

Prinsip Operasi MOSFET

Prinsip operasi MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) adalah menggunakan VGS untuk mengawal jumlah "cas induktif", untuk mengubah keadaan saluran konduktif yang dibentuk oleh "cas induktif" ini, dan kemudian untuk mencapai tujuan. mengawal arus longkang. Tujuannya adalah untuk mengawal arus longkang. Dalam pembuatan tiub, melalui proses membuat sejumlah besar ion positif dalam lapisan penebat, jadi di sisi lain antara muka boleh diinduksi lebih banyak caj negatif, caj negatif ini boleh teraruh.

Apabila voltan get berubah, jumlah cas yang teraruh dalam saluran juga berubah, lebar saluran konduktif juga berubah, dan dengan itu ID arus longkang berubah dengan voltan pintu.

peranan MOSFET

I. MOSFET boleh digunakan untuk amplifikasi. Kerana impedans input yang tinggi penguat MOSFET, kapasitor gandingan boleh menjadi kapasiti yang lebih kecil, tanpa menggunakan kapasitor elektrolitik.

Kedua, impedans input tinggi MOSFET sangat sesuai untuk penukaran impedans. Biasa digunakan dalam peringkat input penguat berbilang peringkat untuk penukaran impedans.

MOSFET boleh digunakan sebagai perintang boleh ubah.

Keempat, MOSFET boleh digunakan dengan mudah sebagai sumber arus malar.

Kelima, MOSFET boleh digunakan sebagai suis elektronik.