Kapasiti pintu gerbang, pada rintangan dan parameter lain MOSFET

I. Kemuatan gerbang

Kapasiti pintu masuk terutamanya termasuk kemuatan input (Ciss), kemuatan keluaran (Coss) dan kemuatan pemindahan terbalik (Crss, juga dikenali sebagai kapasitans Miller).

 

Kapasitan Input (Ciss):

 

DEFINISI: Kemuatan input ialah jumlah kapasitansi antara pintu dan punca serta longkang, dan terdiri daripada kemuatan sumber get (Cgs) dan kemuatan longkang pintu (Cgd) yang disambung secara selari, iaitu Ciss = Cgs + Cgd.

 

Fungsi: Kapasiti input mempengaruhi kelajuan pensuisan MOSFET. Apabila kapasitansi input dicaj pada voltan ambang, peranti boleh dihidupkan; dilepaskan ke nilai tertentu, peranti boleh dimatikan. Oleh itu, litar pemanduan dan Ciss mempunyai kesan langsung pada kelewatan hidup dan mati peranti.

 

Kapasiti keluaran (Coss):

Definisi: Kapasiti keluaran ialah jumlah kapasitansi antara longkang dan punca, dan terdiri daripada kapasitans punca longkang (Cds) dan kapasiti longkang pintu (Cgd) secara selari, iaitu Coss = Cds + Cgd.

 

Peranan: Dalam aplikasi pensuisan lembut, Coss adalah sangat penting kerana ia boleh menyebabkan resonans dalam litar.

 

Kapasitan Penghantaran Songsang (Crss):

Definisi: Kapasiti pemindahan terbalik adalah bersamaan dengan kapasitans saliran pintu (Cgd) dan sering dirujuk sebagai kapasitans Miller.

 

Peranan: Kapasiti pemindahan terbalik ialah parameter penting untuk masa naik dan turun suis, dan ia juga mempengaruhi masa tunda tutup. Nilai kapasitansi berkurangan apabila voltan punca saliran meningkat.

II. Pada rintangan (Rds(on))

 

Definisi: Rintangan-pada ialah rintangan antara punca dan longkang MOSFET dalam keadaan-hidup di bawah keadaan tertentu (cth, arus kebocoran tertentu, voltan pintu dan suhu).

 

Faktor yang mempengaruhi: Rintangan pada bukan nilai tetap, ia dipengaruhi oleh suhu, semakin tinggi suhu, semakin besar Rds(on). Di samping itu, lebih tinggi voltan tahan, lebih tebal struktur dalaman MOSFET, lebih tinggi pada rintangan yang sepadan.

 

 

Kepentingan: Apabila mereka bentuk bekalan kuasa pensuisan atau litar pemacu, adalah perlu untuk mempertimbangkan rintangan hidup MOSFET, kerana arus yang mengalir melalui MOSFET akan menggunakan tenaga pada rintangan ini, dan bahagian tenaga yang digunakan ini dipanggil on- kehilangan rintangan. Memilih MOSFET dengan rintangan pada rendah boleh mengurangkan kehilangan pada rintangan.

 

Ketiga, parameter penting lain

Sebagai tambahan kepada kapasitans pintu dan rintangan, MOSFET mempunyai beberapa parameter penting lain seperti:

V(BR)DSS (Voltan Pecah Sumber Parit):Voltan punca longkang di mana arus yang mengalir melalui longkang mencapai nilai tertentu pada suhu tertentu dan dengan punca get terpintas. Di atas nilai ini, tiub mungkin rosak.

 

VGS(th) (Voltan Ambang):Voltan get yang diperlukan untuk menyebabkan saluran pengalir mula terbentuk antara punca dan longkang. Untuk MOSFET saluran N standard, VT ialah kira-kira 3 hingga 6V.

 

ID (Arus Parit Berterusan Maksimum):Arus DC berterusan maksimum yang boleh dibenarkan oleh cip pada suhu simpang undian maksimum.

 

IDM (Arus Parit Berdenyut Maksimum):Mencerminkan tahap arus berdenyut yang boleh dikendalikan oleh peranti, dengan arus berdenyut jauh lebih tinggi daripada arus DC berterusan.

 

PD (pelesapan kuasa maksimum):peranti boleh menghilangkan penggunaan kuasa maksimum.

 

Ringkasnya, kapasitans pintu, pada rintangan dan parameter lain MOSFET adalah penting untuk prestasi dan aplikasinya, dan perlu dipilih dan direka bentuk mengikut senario dan keperluan aplikasi tertentu.