MOSFET (Metal-Oxide-Semiconduktor Field-Effect Transistor) mempunyai tiga kutub iaitu:
Pintu:G, gerbang MOSFET adalah bersamaan dengan pangkalan transistor bipolar dan digunakan untuk mengawal pengaliran dan pemotongan MOSFET. Dalam MOSFET, voltan get (Vgs) menentukan sama ada saluran konduktif terbentuk antara punca dan longkang, serta lebar dan kekonduksian saluran konduktif. Pintu pagar diperbuat daripada bahan seperti logam, polisilikon, dsb., dan dikelilingi oleh lapisan penebat (biasanya silikon dioksida) untuk menghalang arus daripada mengalir terus ke dalam atau keluar dari pintu pagar.
Sumber:S, sumber MOSFET adalah bersamaan dengan pemancar transistor bipolar dan di mana arus mengalir. Dalam MOSFET saluran N, sumber biasanya disambungkan ke terminal negatif (atau pembumian) bekalan kuasa, manakala dalam MOSFET saluran P, sumber disambungkan ke terminal positif bekalan kuasa. Sumber adalah salah satu bahagian utama yang membentuk saluran pengalir, yang menghantar elektron (saluran N) atau lubang (saluran P) ke longkang apabila voltan get cukup tinggi.
longkang:D, longkang MOSFET adalah bersamaan dengan pengumpul transistor dwikutub dan di mana arus mengalir masuk. Longkang biasanya disambungkan kepada beban dan bertindak sebagai keluaran arus dalam litar. Dalam MOSFET, longkang adalah hujung satu lagi saluran konduktif, dan apabila voltan get mengawal pembentukan saluran konduktif antara punca dan longkang, arus boleh mengalir dari sumber melalui saluran konduktif ke longkang.
Secara ringkasnya, pagar MOSFET digunakan untuk mengawal hidup dan mati, punca adalah tempat arus keluar, dan longkang adalah tempat arus mengalir masuk. Bersama-sama, ketiga-tiga kutub ini menentukan keadaan operasi dan prestasi MOSFET .
Masa siaran: Sep-26-2024
