IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ialah dua peranti semikonduktor kuasa biasa yang digunakan secara meluas dalam elektronik kuasa. Walaupun kedua-duanya adalah komponen penting dalam pelbagai aplikasi, ia berbeza dengan ketara dalam beberapa aspek. Di bawah ialah perbezaan utama antara IGBT dan MOSFET:
1. Prinsip Kerja
- IGBT: IGBT menggabungkan ciri-ciri kedua-dua BJT (Bipolar Junction Transistor) dan MOSFET, menjadikannya peranti hibrid. Ia mengawal asas BJT melalui voltan get MOSFET, yang seterusnya mengawal pengaliran dan pemotongan BJT. Walaupun proses pengaliran dan pemotongan IGBT agak kompleks, ia mempunyai kehilangan voltan pengaliran rendah dan toleransi voltan tinggi.
- MOSFET: MOSFET ialah transistor kesan medan yang mengawal arus dalam semikonduktor melalui voltan get. Apabila voltan get melebihi voltan sumber, lapisan konduktif terbentuk, membenarkan arus mengalir. Sebaliknya, apabila voltan get berada di bawah ambang, lapisan konduktif hilang, dan arus tidak dapat mengalir. Pengendalian MOSFET agak mudah, dengan kelajuan pensuisan yang pantas.
2. Kawasan Permohonan
- IGBT: Disebabkan oleh toleransi voltan tinggi, kehilangan voltan pengaliran rendah dan prestasi pensuisan pantas, IGBT amat sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi, kehilangan rendah seperti penyongsang, pemacu motor, mesin kimpalan dan bekalan kuasa tidak terganggu (UPS) . Dalam aplikasi ini, IGBT menguruskan operasi pensuisan voltan tinggi dan arus tinggi dengan cekap.
- MOSFET: MOSFET, dengan tindak balas pantas, rintangan input tinggi, prestasi pensuisan yang stabil dan kos rendah, digunakan secara meluas dalam aplikasi pensuisan berkuasa rendah dan pantas seperti bekalan kuasa mod suis, pencahayaan, penguat audio dan litar logik . MOSFET berprestasi sangat baik dalam aplikasi berkuasa rendah dan voltan rendah.
3. Ciri-ciri Prestasi
- IGBT: IGBT cemerlang dalam aplikasi voltan tinggi, arus tinggi kerana keupayaannya untuk mengendalikan kuasa yang ketara dengan kehilangan pengaliran yang lebih rendah, tetapi ia mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih perlahan berbanding MOSFET.
- MOSFET: MOSFET dicirikan oleh kelajuan pensuisan yang lebih pantas, kecekapan yang lebih tinggi dalam aplikasi voltan rendah dan kehilangan kuasa yang lebih rendah pada frekuensi pensuisan yang lebih tinggi.
4. Kebolehtukaran
IGBT dan MOSFET direka dan digunakan untuk tujuan yang berbeza dan biasanya tidak boleh ditukar ganti. Pilihan peranti yang hendak digunakan bergantung pada aplikasi khusus, keperluan prestasi dan pertimbangan kos.
Kesimpulan
IGBT dan MOSFET berbeza dengan ketara dari segi prinsip kerja, kawasan aplikasi dan ciri prestasi. Memahami perbezaan ini membantu dalam memilih peranti yang sesuai untuk reka bentuk elektronik kuasa, memastikan prestasi optimum dan kecekapan kos.
Masa siaran: Sep-21-2024
