Jenis N, jenis P MOSFET prinsip kerja intipati adalah sama, MOSFET terutamanya ditambah ke bahagian input voltan pintu untuk berjaya mengawal bahagian keluaran arus longkang, MOSFET adalah peranti terkawal voltan, melalui voltan ditambah ke pintu pagar untuk mengawal ciri-ciri peranti, tidak seperti triod untuk melakukan masa pensuisan disebabkan oleh arus asas yang disebabkan oleh kesan penyimpanan caj, dalam aplikasi pensuisan, MOSFET Dalam aplikasi pensuisan,MOSFET kelajuan pensuisan adalah lebih cepat daripada triod.
Dalam bekalan kuasa pensuisan, litar longkang terbuka MOSFET yang biasa digunakan, longkang disambungkan kepada beban sebagaimana adanya, dipanggil longkang terbuka, litar longkang terbuka, beban disambungkan kepada berapa tinggi voltan, dapat dihidupkan, matikan arus beban, adalah peranti pensuisan analog yang ideal, yang merupakan prinsip MOSFET untuk melakukan peranti pensuisan, MOSFET untuk melakukan pensuisan dalam bentuk lebih banyak litar.
Dari segi aplikasi bekalan kuasa pensuisan, aplikasi ini memerlukan MOSFET untuk menjalankan secara berkala, mematikan, seperti bekalan kuasa DC-DC yang biasa digunakan dalam penukar dolar asas bergantung pada dua MOSFET untuk melaksanakan fungsi pensuisan, suis ini secara bergantian dalam induktor untuk menyimpan tenaga, melepaskan tenaga kepada beban, sering memilih beratus-ratus kHz atau lebih daripada 1 MHz, terutamanya kerana semakin tinggi frekuensi maka, semakin kecil komponen magnet. Semasa operasi biasa, MOSFET adalah bersamaan dengan konduktor, contohnya, MOSFET berkuasa tinggi, MOSFET voltan kecil, litar, bekalan kuasa ialah kehilangan pengaliran minimum MOS.
Parameter PDF MOSFET, pengeluar MOSFET telah berjaya menggunakan parameter RDS (ON) untuk mentakrifkan impedans dalam keadaan, untuk aplikasi pensuisan, RDS (ON) adalah ciri peranti yang paling penting; lembaran data mentakrifkan RDS (ON), get (atau pemacu) voltan VGS dan arus yang mengalir melalui suis adalah berkaitan, untuk pemacu get yang mencukupi, RDS (ON) ialah parameter yang agak statik; MOSFET yang telah berada dalam pengaliran terdedah kepada penjanaan haba, dan suhu simpang yang meningkat secara perlahan boleh menyebabkan peningkatan dalam RDS (ON);MOSFET lembaran data menentukan parameter impedans terma, yang ditakrifkan sebagai keupayaan simpang semikonduktor pakej MOSFET untuk menghilangkan haba, dan RθJC secara ringkasnya ditakrifkan sebagai galangan terma simpang ke kotak.
1, frekuensi terlalu tinggi, kadang-kadang terlalu mengejar volum, secara langsung akan membawa kepada frekuensi tinggi, MOSFET pada peningkatan kerugian, semakin besar haba, tidak melakukan kerja yang baik reka bentuk pelesapan haba yang mencukupi, arus tinggi, nominal nilai semasa MOSFET, keperluan untuk pelesapan haba yang baik untuk dapat dicapai; ID adalah kurang daripada arus maksimum, mungkin haba yang serius, keperluan untuk heatsink tambahan yang mencukupi.
2, ralat pemilihan MOSFET dan ralat dalam pertimbangan kuasa, rintangan dalaman MOSFET tidak dipertimbangkan sepenuhnya, secara langsung akan membawa kepada peningkatan impedans pensuisan, apabila berhadapan dengan masalah pemanasan MOSFET.
3, disebabkan oleh masalah reka bentuk litar, mengakibatkan haba, supaya MOSFET berfungsi dalam keadaan operasi linear, bukan dalam keadaan pensuisan, yang merupakan punca langsung pemanasan MOSFET, sebagai contoh, N-MOS melakukan pensuisan, G- voltan tahap harus lebih tinggi daripada bekalan kuasa dengan beberapa V, untuk dapat pengaliran sepenuhnya, P-MOS adalah berbeza; dalam ketiadaan terbuka sepenuhnya, penurunan voltan adalah terlalu besar, yang akan mengakibatkan penggunaan kuasa, impedans DC bersamaan lebih besar, penurunan voltan juga akan meningkat, U * I juga akan meningkat, kehilangan akan membawa kepada haba.
Masa siaran: Ogos-01-2024
