MOSFET punca dan langkah pemanasan arus kecil

Masa Siaran: Mei-19-2024

Sebagai salah satu peranti paling asas dalam bidang semikonduktor, MOSFET digunakan secara meluas dalam kedua-dua reka bentuk IC dan litar peringkat papan. Pada masa ini, terutamanya dalam bidang semikonduktor berkuasa tinggi, pelbagai struktur MOSFET yang berbeza juga memainkan peranan yang tidak boleh ditukar ganti. UntukMOSFET, struktur yang boleh dikatakan sebagai satu set mudah dan kompleks dalam satu, mudah adalah mudah dalam strukturnya, kompleks adalah berdasarkan aplikasi pertimbangan yang mendalam. Dalam sehari-hari,MOSFET haba juga dianggap sebagai keadaan yang sangat biasa, kunci yang perlu kita ketahui sebab dari mana, dan apakah kaedah yang boleh diselesaikan? Seterusnya marilah kita bersama-sama memahami.

I. Punca-puncaMOSFET pemanasan
1, masalah reka bentuk litar. Ia adalah untuk membiarkan MOSFET berfungsi dalam keadaan dalam talian, bukan dalam keadaan bertukar. Ini adalah salah satu sebab mengapa MOSFET menjadi panas. Jika N-MOS melakukan pensuisan, voltan tahap G mestilah beberapa V lebih tinggi daripada bekalan kuasa untuk dihidupkan sepenuhnya, dan sebaliknya berlaku untuk P-MOS. Tidak terbuka sepenuhnya dan penurunan voltan terlalu besar mengakibatkan penggunaan kuasa, impedans DC bersamaan agak besar, penurunan voltan meningkat, jadi U * I juga meningkat, kehilangan bermakna haba.

2, kekerapan terlalu tinggi. Terutamanya kadangkala terlalu banyak untuk volum, mengakibatkan peningkatan kekerapan, kerugian MOSFET pada peningkatan, yang juga membawa kepada pemanasan MOSFET.

3, arus terlalu tinggi. Apabila ID kurang daripada arus maksimum, ia juga akan menyebabkan MOSFET menjadi panas.

4, pilihan model MOSFET adalah salah. Rintangan dalaman MOSFET tidak dipertimbangkan sepenuhnya, mengakibatkan impedans pensuisan meningkat.二、

Penyelesaian untuk penjanaan haba teruk MOSFET
1, Lakukan kerja yang baik pada reka bentuk sink haba MOSFET.

2, Tambah sinki haba tambahan yang mencukupi.

3, Tampal pelekat sink haba.