Pilihan MOSFET | Prinsip Pembinaan MOSFET Saluran N

Struktur Metal-Oxide-SemIConduktor bagi transistor kristal yang biasa dikenali sebagaiMOSFET, di mana MOSFET dibahagikan kepada MOSFET jenis P dan MOSFET jenis N. Litar bersepadu yang terdiri daripada MOSFET juga dipanggil litar bersepadu MOSFET, dan litar bersepadu MOSFET yang berkait rapat terdiri daripada PMOSFET danNMOSFET dipanggil litar bersepadu CMOSFET.

MOSFET yang terdiri daripada substrat jenis p dan dua kawasan merebak n dengan nilai kepekatan tinggi dipanggil saluran-nMOSFET, dan saluran konduktif yang disebabkan oleh saluran konduktif jenis-n disebabkan oleh laluan penyebaran-n dalam dua laluan penyebaran-n dengan nilai kepekatan tinggi apabila tiub mengalir. MOSFET menebal saluran-n mempunyai saluran-n yang disebabkan oleh saluran konduktif apabila pincang arah positif dinaikkan sebanyak mungkin pada pintu dan hanya apabila operasi sumber get memerlukan voltan kendalian melebihi voltan ambang. MOSFET penyusutan saluran-n adalah yang tidak bersedia untuk voltan get (operasi sumber get memerlukan voltan operasi sifar). MOSFET penyusutan cahaya saluran-n ialah MOSFET saluran-n di mana saluran konduktif disebabkan apabila voltan get (voltan kendalian keperluan operasi sumber get ialah sifar) tidak disediakan.

Litar bersepadu NMOSFET ialah litar bekalan kuasa MOSFET saluran N, litar bersepadu NMOSFET, rintangan input adalah sangat tinggi, sebahagian besar tidak perlu mencerna penyerapan aliran kuasa, dan dengan itu litar bersepadu CMOSFET dan NMOSFET disambungkan tanpa perlu mengambil kira kira beban aliran kuasa.Litar bersepadu NMOSFET, sebahagian besar daripada pemilihan satu kumpulan positif litar bekalan kuasa pensuisan litar bekalan kuasa Majoriti Litar bersepadu NMOSFET menggunakan litar bekalan kuasa litar bekalan kuasa pensuisan positif tunggal, dan kepada 9V untuk lebih banyak lagi. Litar bersepadu CMOSFET hanya perlu menggunakan litar bekalan kuasa litar pensuisan yang sama seperti litar bersepadu NMOSFET, boleh disambungkan dengan litar bersepadu NMOSFET dengan segera. Walau bagaimanapun, daripada NMOSFET ke CMOSFET disambungkan serta-merta, kerana rintangan tarik keluar keluaran NMOSFET adalah kurang daripada rintangan tarik keluar berkunci litar bersepadu CMOSFET, jadi cuba gunakan perintang tarik naik beza potensi R, nilai perintang R ialah umumnya 2 hingga 100KΩ.

Pembinaan MOSFET menebal saluran N
Pada substrat silikon jenis P dengan nilai kepekatan doping yang rendah, dua kawasan N dengan nilai kepekatan doping yang tinggi dibuat, dan dua elektrod dikeluarkan daripada logam aluminium untuk berfungsi sebagai longkang d dan sumber s, masing-masing.

Kemudian dalam permukaan komponen semikonduktor menutup lapisan yang sangat nipis tiub penebat silika, dalam longkang - tiub penebat sumber antara longkang dan sumber elektrod aluminium lain, sebagai pintu g.

Dalam substrat juga membawa keluar elektrod B, yang terdiri daripada MOSFET tebal saluran-N. Sumber MOSFET dan substrat biasanya disambungkan bersama, sebahagian besar paip di kilang telah lama disambungkan kepadanya, pintu gerbangnya dan elektrod lain terlindung di antara selongsong.