Litar Anti-Sbalik MOSFET

Pertama, prinsip asas litar anti-terbalik MOSFET

Litar anti-terbalik MOSFET menggunakan ciri pensuisan MOSFET, dengan mengawal voltan get (G) untuk merealisasikan litar hidup dan mati. Apabila kekutuban bekalan kuasa adalah betul, voltan pintu membuat MOSFET dalam keadaan pengaliran, arus boleh mengalir secara normal; apabila kekutuban bekalan kuasa diterbalikkan, voltan pintu tidak boleh membuat pengaliran MOSFET, dengan itu memotong litar.

Kedua, realisasi khusus litar anti-terbalik MOSFET

1. Litar anti-terbalik MOSFET saluran-N

MOSFET saluran N biasanya digunakan untuk merealisasikan litar anti-terbalik. Dalam litar, sumber (S) MOSFET saluran N disambungkan ke terminal negatif beban, longkang (D) disambungkan ke terminal positif bekalan kuasa, dan pintu (G) disambungkan ke terminal negatif bekalan kuasa melalui perintang atau dikawal oleh litar kawalan.

Sambungan ke hadapan: terminal positif bekalan kuasa disambungkan ke D, dan terminal negatif disambungkan ke S. Pada masa ini, perintang menyediakan voltan sumber get (VGS) untuk MOSFET, dan apabila VGS lebih besar daripada ambang voltan (Vth) MOSFET, MOSFET mengalir, dan arus mengalir dari terminal positif bekalan kuasa ke beban melalui MOSFET.

Apabila diterbalikkan: terminal positif bekalan kuasa disambungkan ke S, dan terminal negatif disambungkan ke D. Pada masa ini, MOSFET berada dalam keadaan cutoff dan litar diputuskan untuk melindungi beban daripada kerosakan kerana voltan get tidak dapat membentuk VGS yang mencukupi untuk menjalankan MOSFET (VGS mungkin kurang daripada 0 atau lebih kurang daripada Vth).

2. Peranan Komponen Bantu

Perintang: Digunakan untuk menyediakan voltan sumber get untuk MOSFET dan mengehadkan arus get untuk mengelakkan kerosakan arus lebih pintu.

Pengawal selia voltan: komponen pilihan yang digunakan untuk menghalang voltan sumber get daripada menjadi terlalu tinggi dan merosakkan MOSFET.

Diod Parasit: Diod parasit (diod badan) wujud di dalam MOSFET, tetapi kesannya biasanya diabaikan atau dielakkan oleh reka bentuk litar untuk mengelakkan kesan buruknya dalam litar anti-terbalik.

Ketiga, kelebihan litar anti-terbalik MOSFET

Kehilangan rendah: MOSFET pada rintangan adalah kecil, voltan pada rintangan dikurangkan, jadi kehilangan litar adalah kecil.

Kebolehpercayaan yang tinggi: fungsi anti-terbalik boleh direalisasikan melalui reka bentuk litar yang mudah, dan MOSFET itu sendiri mempunyai tahap kebolehpercayaan yang tinggi.

Fleksibiliti: model MOSFET yang berbeza dan reka bentuk litar boleh dipilih untuk memenuhi keperluan aplikasi yang berbeza.

Langkah berjaga-berjaga

Dalam reka bentuk litar anti-terbalik MOSFET, anda perlu memastikan bahawa pemilihan MOSFET untuk memenuhi keperluan aplikasi, termasuk voltan, arus, kelajuan pensuisan dan parameter lain.

Adalah perlu untuk mempertimbangkan pengaruh komponen lain dalam litar, seperti kemuatan parasit, kearuhan parasit, dan lain-lain, untuk mengelakkan kesan buruk terhadap prestasi litar.

Dalam aplikasi praktikal, ujian dan pengesahan yang mencukupi juga diperlukan untuk memastikan kestabilan dan kebolehpercayaan litar.

Ringkasnya, litar anti-terbalik MOSFET ialah skim perlindungan bekalan kuasa yang mudah, boleh dipercayai dan kehilangan rendah yang digunakan secara meluas dalam pelbagai aplikasi yang memerlukan pencegahan kekutuban kuasa songsang.