Adakah anda tahu apa itu MOSFET saluran N?

I. Struktur dan komposisi asas

MOSFET saluran N terdiri daripada komponen utama berikut:

Pintu:terminal kawalan, dengan menukar voltan get untuk mengawal saluran konduktif antara punca dan longkang.· ·

Sumber:Aliran keluar semasa, biasanya disambungkan ke sisi negatif litar.· ·

longkang: aliran masuk semasa, biasanya disambungkan kepada beban litar.

Substrat:Biasanya bahan semikonduktor jenis P, digunakan sebagai substrat untuk MOSFET.

Penebat：Terletak di antara pintu dan saluran, ia biasanya diperbuat daripada silikon dioksida (SiO2) dan bertindak sebagai penebat.

II. Prinsip operasi

Prinsip operasi MOSFET saluran-N adalah berdasarkan kesan medan elektrik, yang berjalan seperti berikut:

Status pemotongan:Apabila voltan get (Vgs) lebih rendah daripada voltan ambang (Vt), tiada saluran pengalir jenis N terbentuk dalam substrat jenis P di bawah pintu, dan oleh itu keadaan potong antara punca dan longkang berada di tempatnya dan arus tidak dapat mengalir.

Keadaan kekonduksian:Apabila voltan get (Vgs) lebih tinggi daripada voltan ambang (Vt), lubang pada substrat jenis P di bawah get ditolak, membentuk lapisan susutan. Dengan peningkatan selanjutnya dalam voltan pintu, elektron tertarik ke permukaan substrat jenis P, membentuk saluran pengalir jenis-N. Pada ketika ini, laluan terbentuk antara punca dan longkang dan arus boleh mengalir.

III. Jenis dan ciri

MOSFET saluran-N boleh dikelaskan kepada pelbagai jenis mengikut ciri-cirinya, seperti Mod Peningkatan dan Mod Penghabisan. Antaranya, MOSFET Mod Peningkatan berada dalam keadaan terputus apabila voltan get adalah sifar, dan perlu menggunakan voltan get positif untuk menjalankan; manakala MOSFET Mod Penghabisan sudah berada dalam keadaan konduktif apabila voltan get adalah sifar.

MOSFET saluran N mempunyai banyak ciri yang sangat baik seperti:

Impedans input tinggi:Pintu dan saluran MOSFET diasingkan oleh lapisan penebat, menghasilkan impedans masukan yang sangat tinggi.

Bunyi rendah:Memandangkan operasi MOSFET tidak melibatkan suntikan dan pengkompaunan pembawa minoriti, bunyi adalah rendah.

Penggunaan kuasa yang rendah: MOSFET mempunyai penggunaan kuasa yang rendah dalam kedua-dua keadaan hidup dan mati.

Ciri-ciri pensuisan berkelajuan tinggi:MOSFET mempunyai kelajuan pensuisan yang sangat pantas dan sesuai untuk litar frekuensi tinggi dan litar digital berkelajuan tinggi.

IV. Bidang permohonan

MOSFET saluran N digunakan secara meluas dalam pelbagai peranti elektronik kerana prestasi cemerlangnya, seperti:

Litar Digital:Sebagai elemen asas litar get logik, ia melaksanakan pemprosesan dan kawalan isyarat digital.

Litar analog:Digunakan sebagai komponen utama dalam litar analog seperti penguat dan penapis.

Elektronik Kuasa:Digunakan untuk mengawal peranti elektronik kuasa seperti menukar bekalan kuasa dan pemacu motor.

Kawasan lain:Seperti lampu LED, elektronik automotif, komunikasi tanpa wayar dan bidang lain juga digunakan secara meluas.

Ringkasnya, MOSFET saluran N, sebagai peranti semikonduktor yang penting, memainkan peranan yang tidak boleh digantikan dalam teknologi elektronik moden.