Menganalisis Peningkatan dan Penyusutan MOSFET

D-FET berada dalam bias 0 pintu apabila kewujudan saluran, boleh menjalankan FET; E-FET berada dalam bias gerbang 0 apabila tiada saluran, tidak boleh menjalankan FET. kedua-dua jenis FET ini mempunyai ciri dan kegunaannya yang tersendiri. Secara umum, FET yang dipertingkatkan dalam litar berkelajuan tinggi dan berkuasa rendah adalah sangat berharga; dan peranti ini berfungsi, ia adalah kekutuban get bias voltage dan longkang voltan yang sama, ia adalah lebih mudah dalam reka bentuk litar.

Cara yang dipanggil dipertingkatkan: apabila VGS = 0 tiub adalah keadaan terputus, ditambah dengan VGS yang betul, majoriti pembawa tertarik ke pintu gerbang, dengan itu "meningkatkan" pembawa di rantau ini, membentuk saluran konduktif. MOSFET yang dipertingkatkan saluran-n pada asasnya ialah topologi simetri kiri-kanan, iaitu semikonduktor jenis-P pada penjanaan lapisan penebat filem SiO2. Ia menghasilkan lapisan penebat filem SiO2 pada semikonduktor jenis P, dan kemudian meresap dua kawasan jenis N yang sangat terdop denganfotolitografi, dan memimpin elektrod dari rantau jenis N, satu untuk longkang D dan satu untuk punca S. Lapisan logam aluminium disalut pada lapisan penebat antara punca dan longkang sebagai pintu G. Apabila VGS = 0 V , terdapat beberapa diod dengan diod belakang ke belakang antara longkang dan punca dan voltan antara D dan S tidak membentuk arus antara D dan S. Arus antara D dan S tidak terbentuk oleh voltan yang digunakan .

Apabila voltan get ditambah, jika 0 < VGS < VGS(th), melalui medan elektrik kapasitif yang terbentuk di antara pintu pagar dan substrat, lubang polion dalam semikonduktor jenis P berhampiran bahagian bawah pintu masuk ditolak ke bawah, dan lapisan penipisan nipis ion negatif muncul; pada masa yang sama, ia akan menarik oligon di dalamnya untuk bergerak ke lapisan permukaan, tetapi bilangannya adalah terhad dan tidak mencukupi untuk membentuk saluran konduktif yang menyampaikan longkang dan sumber, jadi ia masih tidak mencukupi untuk Pembentukan ID semasa longkang. peningkatan lagi VGS, apabila VGS > VGS (th) (VGS (th) dipanggil voltan hidupkan), kerana pada masa ini voltan pintu telah agak kuat, dalam lapisan permukaan semikonduktor jenis P berhampiran bahagian bawah pintu di bawah pengumpulan lebih banyak elektron, anda boleh membentuk parit, longkang dan sumber komunikasi. Jika voltan punca longkang ditambah pada masa ini, arus longkang boleh dibentuk ID. elektron dalam saluran konduktif terbentuk di bawah pintu, kerana lubang pembawa dengan kekutuban semikonduktor P-jenis adalah bertentangan, jadi ia dipanggil lapisan anti-jenis. Memandangkan VGS terus meningkat, ID akan terus meningkat. ID = 0 pada VGS = 0V, dan arus longkang berlaku hanya selepas VGS > VGS(th), jadi, MOSFET jenis ini dipanggil MOSFET peningkatan.

Hubungan kawalan VGS pada arus longkang boleh digambarkan oleh lengkung iD = f(VGS(th))|VDS=const, yang dipanggil lengkung ciri pemindahan, dan magnitud cerun lengkung ciri pemindahan, gm, mencerminkan kawalan arus longkang oleh voltan punca get. magnitud gm ialah mA/V, jadi gm juga dipanggil transkonduktansi.