Saluran N&P WST2078 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET Imej Yang Ditampilkan

penerangan ringkas:

Nombor Model:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3.8A/-4.5A

Saluran:Saluran N&P

Pakej:SOT-23-6L

Produk Summery:MOSFET WST2078 mempunyai penarafan voltan 20V dan -20V. Ia boleh mengendalikan arus 3.8A dan -4.5A, dan mempunyai nilai rintangan 45mΩ dan 65mΩ. MOSFET mempunyai kedua-dua keupayaan Saluran N&P dan didatangkan dalam pakej SOT-23-6L.

Permohonan:E-rokok, pengawal, produk digital, peralatan dan elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WST2078 ialah MOSFET terbaik untuk suis kuasa kecil dan aplikasi beban. Ia mempunyai ketumpatan sel yang tinggi yang memberikan RDSON dan cas gerbang yang sangat baik. Ia memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau dan telah diluluskan untuk kebolehpercayaan fungsi penuh.

Ciri-ciri

Teknologi canggih dengan parit ketumpatan sel tinggi, cas pintu yang sangat rendah, dan pengurangan kesan Cdv/dt yang sangat baik. Peranti ini juga mesra alam.

Aplikasi

Pensuisan kuasa kecil segerak titik-beban frekuensi tinggi sesuai untuk digunakan dalam MB/NB/UMPC/VGA, rangkaian sistem kuasa DC-DC, suis beban, e-rokok, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil dan pengguna elektronik.

nombor bahan yang sepadan

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
Simbol	Parameter	Saluran-N	P-Saluran	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	20	-20	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa3	1.4	1.4	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=1mA	---	0.024	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=4.5V , ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V , ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	0.5	0.7	1	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±8V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=5V , ID=1A	---	8	---	S
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Jumlah Caj Gate (4.5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	1.5	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	2.1	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Masa Bangkit		---	13	23
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	15	28
Tf	Masa Kejatuhan		---	3	5.5
Ciss	Kapasitan Input	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	51	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	52	---