WST2011 Dwi P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Deskripsi umum
MOSFET WST2011 ialah transistor P-ch tercanggih yang ada, menampilkan ketumpatan sel yang tiada tandingan.Mereka menawarkan prestasi yang luar biasa, dengan RDSON yang rendah dan cas pintu, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suis kuasa dan suis beban yang kecil.Tambahan pula, WST2011 memenuhi piawaian RoHS dan Produk Hijau serta mempunyai kelulusan kebolehpercayaan fungsi penuh.
ciri-ciri
Teknologi Parit Termaju membolehkan ketumpatan sel yang lebih tinggi, menghasilkan Peranti Hijau dengan Caj Pintu Super Rendah dan penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik.
Aplikasi
Pensuisan kuasa kecil segerak titik frekuensi tinggi sesuai untuk digunakan dalam MB/NB/UMPC/VGA, rangkaian sistem kuasa DC-DC, suis beban, e-rokok, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil dan elektronik pengguna .
nombor bahan yang sepadan
PADA FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Parameter penting
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit | |
| 10s | Keadaan Teguh | |||
| VDS | Voltan Punca Parit | -20 | V | |
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Arus Parit Berterusan, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Arus Parit Berterusan, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Arus Longkang Berdenyutan2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Jumlah Pelesapan Kuasa3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Jumlah Pelesapan Kuasa3 | 1.2 | 0.9 | W |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ | |
| TJ | Julat Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ | |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Pekali Suhu BVDSS | Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA | --- | -0.011 | --- | V/℃ |
| RDS(HIDUP) | Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 | VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2.5V , ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS , ID =-250uA | -0.5 | -1.0 | -1.5 | V |
| △VGS(th) | Pekali Suhu VGS(th). | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=-16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transkonduktans Hadapan | VDS=-5V , ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Jumlah Caj Pintu (-4.5V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Caj Parit Pintu | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | Masa Lengah Hidupkan | VDD=-15V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Masa Bangkit | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(mati) | Masa Lengah Matikan | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Masa Kejatuhan | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Kapasitan Input | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | --- | 68 | --- |
