WST2011 Dwi P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

produk

WST2011 Dwi P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:


  • Nombor Model:WST2011
  • BVDSS:-20V
  • RDSON:80mΩ
  • ID:-3.2A
  • Saluran:Dwi P-Saluran
  • Pakej:SOT-23-6L
  • Produk Summery:Voltan WST2011 MOSFET ialah -20V, arus ialah -3.2A, rintangan ialah 80mΩ, saluran ialah Dwi P-Channel, dan pakejnya ialah SOT-23-6L.
  • Permohonan:E-rokok, kawalan, produk digital, peralatan kecil, hiburan rumah.
  • Butiran Produk

    Permohonan

    Tag Produk

    Penerangan Umum

    MOSFET WST2011 ialah transistor P-ch tercanggih yang ada, menampilkan ketumpatan sel yang tiada tandingan. Mereka menawarkan prestasi yang luar biasa, dengan RDSON yang rendah dan cas pintu, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suis kuasa dan suis beban yang kecil. Tambahan pula, WST2011 memenuhi piawaian RoHS dan Produk Hijau serta mempunyai kelulusan kebolehpercayaan fungsi penuh.

    Ciri-ciri

    Teknologi Parit Termaju membolehkan ketumpatan sel yang lebih tinggi, menghasilkan Peranti Hijau dengan Caj Pintu Super Rendah dan penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik.

    Aplikasi

    Pensuisan kuasa kecil segerak titik frekuensi tinggi sesuai untuk digunakan dalam MB/NB/UMPC/VGA, rangkaian sistem kuasa DC-DC, suis beban, e-rokok, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil dan elektronik pengguna .

    nombor bahan yang sepadan

    PADA FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,

    Parameter penting

    Simbol Parameter Penilaian Unit
    10s Keadaan Tetap
    VDS Voltan Punca Parit -20 V
    VGS Voltan Punca Pintu ±12 V
    ID@TA=25℃ Arus Parit Berterusan, VGS @ -4.5V1 -3.6 -3.2 A
    ID@TA=70℃ Arus Parit Berterusan, VGS @ -4.5V1 -2.6 -2.4 A
    IDM Arus Longkang Berdenyut2 -12 A
    PD@TA=25℃ Jumlah Pelesapan Kuasa3 1.7 1.4 W
    PD@TA=70℃ Jumlah Pelesapan Kuasa3 1.2 0.9 W
    TSTG Julat Suhu Penyimpanan -55 hingga 150
    TJ Julat Suhu Persimpangan Operasi -55 hingga 150
    Simbol Parameter syarat Min. Taip. Maks. Unit
    BVDSS Voltan Pecah Punca Parit VGS=0V , ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Pekali Suhu BVDSS Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA --- -0.011 --- V/℃
    RDS(HIDUP) Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 VGS=-4.5V , ID=-2A --- 80 85
           
        VGS=-2.5V , ID=-1A --- 95 115  
    VGS(th) Voltan Ambang Pintu VGS=VDS , ID =-250uA -0.5 -1.0 -1.5 V
               
    △VGS(th) Pekali Suhu VGS(th).   --- 3.95 --- mV/℃
    IDSS Arus Kebocoran Sumber Parit VDS=-16V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-16V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -5  
    IGSS Arus Kebocoran Sumber Pintu VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transkonduktans Hadapan VDS=-5V , ID=-2A --- 8.5 --- S
    Qg Jumlah Caj Pintu (-4.5V) VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A --- 3.3 11.3 nC
    Qgs Caj Sumber Pintu --- 1.1 1.7
    Qgd Caj Parit Pintu --- 1.1 2.9
    Td(on) Masa Lengah Hidupkan VDD=-15V , VGS=-4.5V ,

    RG=3.3Ω, ID=-2A

    --- 7.2 --- ns
    Tr Masa Bangkit --- 9.3 ---
    Td(mati) Masa Lengah Matikan --- 15.4 ---
    Tf Masa Kejatuhan --- 3.6 ---
    Ciss Kapasitan Input VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz --- 750 --- pF
    Coss Kapasitan Keluaran --- 95 ---
    Crss Kapasitan Pemindahan Songsang --- 68 ---

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantar kepada kami