WSR200N08 N-saluran 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2.9mΩ

ID:200A

Saluran:saluran-N

Pakej:KE-220-3L

Produk Summery:MOSFET WSR200N08 boleh mengendalikan sehingga 80 volt dan 200 amp dengan rintangan 2.9 miliohm. Ia adalah peranti saluran N dan datang dalam pakej TO-220-3L.

Permohonan:Rokok elektronik, pengecas wayarles, motor, sistem pengurusan bateri, sumber kuasa sandaran, kenderaan udara tanpa pemandu, peranti penjagaan kesihatan, peralatan mengecas kenderaan elektrik, unit kawalan, mesin pencetak 3D, peranti elektronik, peralatan rumah kecil dan elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSR200N08 ialah parit N-Ch MOSFET berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSR200N08 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau, 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

Ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV/dt Cemerlang, 100% EAS Dijamin, Peranti Hijau Tersedia.

Aplikasi

Aplikasi pensuisan, Pengurusan Kuasa untuk Sistem Penyongsang, Rokok elektronik, pengecasan tanpa wayar, motor, BMS, bekalan kuasa kecemasan, dron, perubatan, pengecasan kereta, pengawal, pencetak 3D, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna, dsb.

nombor bahan yang sepadan

AO AOT480L, ON FDP032N08B,ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, dsb.

Parameter penting

Ciri-ciri Elektrik (TJ=25℃, melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	80	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±25	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Arus Parit Berdenyut2,TC=25°C	790	A
EAS	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH	1496	mJ
IAS	Arus Salju, Nadi tunggal, L=0.5mH	200	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	345	W
PD@TC=100℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	173	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	175	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Jumlah Caj Gate (10V)	VDS=80V , VGS=10V , ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	31	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	75	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	18	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	42	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	54	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	1029	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	650	---