WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

ID:-11A

Saluran:P-Saluran

Pakej:SOP-8

Produk Summery:Voltan WSP4447 MOSFET ialah -40V, arus ialah -11A, rintangan ialah 13mΩ, salurannya ialah P-Channel, dan pakejnya ialah SOP-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengecas wayarles, motor, dron, peranti perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, peralatan kecil dan elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSP4447 ialah MOSFET berprestasi tinggi yang menggunakan teknologi parit dan mempunyai ketumpatan sel yang tinggi.Ia menawarkan RDSON dan caj pintu yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.WSP4447 memenuhi piawaian RoHS dan Produk Hijau, dan dilengkapi dengan jaminan 100% EAS untuk kebolehpercayaan penuh.

ciri-ciri

Teknologi Parit Termaju membolehkan ketumpatan sel yang lebih tinggi, menghasilkan Peranti Hijau dengan Caj Pintu Super Rendah dan penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik.

Aplikasi

Penukar Frekuensi Tinggi untuk Pelbagai Elektronik
Penukar ini direka bentuk untuk memberi kuasa kepada pelbagai peranti dengan cekap, termasuk komputer riba, konsol permainan, peralatan rangkaian, e-rokok, pengecas wayarles, motor, dron, peranti perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, peralatan rumah kecil dan pengguna. elektronik.

nombor bahan yang sepadan

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	-40	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TA=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM a	300µs Arus Parit Berdenyut (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal (L=0.1mH)	54	mJ
IAS b	Arus Salju, Nadi tunggal (L=0.1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	2.0	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-10V , ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2					mΩ
		VGS=-4.5V , ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit					uA
		VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=-5V , ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Jumlah Caj Pintu (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	5.2	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	8	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	12	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	41	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	22	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	235	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	180	---