WSP4099 Dwi P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ID:-6.5A

Saluran:Dwi P-Saluran

Pakej:SOP-8

Produk Summery:MOSFET WSP4099 mempunyai voltan -40V, arus -6.5A, rintangan 30mΩ, Dual P-Channel, dan didatangkan dalam pakej SOP-8.

Permohonan:Rokok elektronik, pengecasan tanpa wayar, motor, dron, perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, perkakas kecil, elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSP4099 ialah MOSFET P-ch yang berkuasa dengan ketumpatan sel yang tinggi. Ia memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. Ia memenuhi piawaian RoHS dan GreenProduct dan mempunyai 100% jaminan EAS dengan kelulusan kebolehpercayaan fungsi penuh.

Ciri-ciri

Teknologi Parit Termaju dengan ketumpatan sel tinggi, pengecasan pintu ultra-rendah, pereputan kesan CdV/dt yang sangat baik dan jaminan 100% EAS adalah semua ciri peranti hijau kami yang sedia ada.

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Suis Beban, E-rokok, pengecasan wayarles, motor, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital , perkakas rumah kecil dan elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

ON FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807 ,ruichips RU40S4H.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	-40	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, -VGS @ -10V1	-6.5	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	-22	A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	25	mJ
IAS	Arus Salju	-10	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	2.0	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA	---	-0.02	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-10V , ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-4.5V , ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.5	-2.0	-2.5	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=-5V , ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Jumlah Caj Pintu (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-4.5V , ID=-6.5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	2.4	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	3.5	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	7	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	31	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	17	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	98	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	72	---