WSM340N10G N-saluran 100V 340A TOL-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N-saluran 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Imej Yang Ditampilkan

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1.6mΩ

ID:340A

Saluran:saluran-N

Pakej:TOL-8L

Produk Summery:Voltan WSM340N10G MOSFET ialah 100V, arus ialah 340A, rintangan ialah 1.6mΩ, salurannya ialah saluran-N, dan pakejnya ialah TOL-8L.

Aplikasi:Peralatan perubatan, dron, bekalan kuasa PD, bekalan kuasa LED, peralatan industri, dsb.

Hantar Pertanyaan PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSM340N10G ialah MOSFET N-Ch parit berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSM340N10G memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau, 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

Ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV/dt Cemerlang, Dijamin EAS 100%, Peranti Hijau Tersedia.

Aplikasi

Pembetulan segerak , Penukar DC/DC , Suis beban , Peralatan perubatan, dron, bekalan kuasa PD, bekalan kuasa LED, peralatan industri, dsb.

Parameter penting

Penilaian Maksimum Mutlak

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	100	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V	230	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut..TC=25°C	1150	A
EAS	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH	1800	mJ
IAS	Arus Salju, Nadi tunggal, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa	375	W
PD@TC=100℃	Jumlah Pelesapan Kuasa	187	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	175	℃

Ciri-ciri Elektrik (TJ=25℃, melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃, ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±25V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Jumlah Caj Gate (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	80	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	60	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	50	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	228	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	322	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	6160	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	220	---