WSM320N04G N-saluran 40V 320A TOL-8L WINSOK MOSFET

WSM320N04G N-saluran 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET Imej Yang Ditampilkan

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2mΩ

ID:320A

Saluran:saluran-N

Pakej:TOL-8L

Produk Summery:MOSFET WSM320N04G mempunyai voltan 40V, arus 320A, rintangan 1.2mΩ, saluran N dan pakej TOLL-8L.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengecasan tanpa wayar, dron, perubatan, pengecasan kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSM320N04G ialah MOSFET berprestasi tinggi yang menggunakan reka bentuk parit dan mempunyai ketumpatan sel yang sangat tinggi.Ia mempunyai RDSON dan caj pintu yang sangat baik dan sesuai untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.WSM320N04G memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau dan dijamin mempunyai 100% EAS dan kebolehpercayaan fungsi penuh.

ciri-ciri

Teknologi Parit ketumpatan sel tinggi termaju, sambil turut menampilkan cas pintu yang rendah untuk prestasi optimum.Selain itu, ia mempunyai penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik, Jaminan EAS 100% dan pilihan mesra alam.

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik Beban Frekuensi Tinggi, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Aplikasi Alat Kuasa, Rokok elektronik, pengecasan tanpa wayar, dron, perubatan, pengecasan kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil dan elektronik pengguna.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	40	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Arus Longkang Berdenyutan2	900	A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	980	mJ
IAS	Arus Salju	70	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	250	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 175	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=4.5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Jumlah Caj Gate (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	43	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	83	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	115	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	95	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	80	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	1200	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	800	---