WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6.8mΩ

ID:-70A

Saluran:P-Saluran

Pakej:KE-252

Produk Summery:MOSFET WSF70P02 mempunyai voltan -20V, arus -70A, rintangan 6.8mΩ, P-Channel dan pembungkusan TO-252.

Permohonan:E-rokok, pengecas wayarles, motor, sandaran kuasa, dron, penjagaan kesihatan, pengecas kereta, pengawal, elektronik, perkakas dan barangan pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

MOSFET WSF70P02 ialah peranti parit saluran P berprestasi tinggi dengan ketumpatan sel yang tinggi. Ia menawarkan RDSON dan caj pintu yang luar biasa untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. Peranti ini memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau, 100% dijamin EAS, dan telah diluluskan untuk kebolehpercayaan fungsi penuh.

Ciri-ciri

Teknologi Parit Termaju dengan ketumpatan sel yang tinggi, cas pintu super rendah, pengurangan yang sangat baik dalam kesan CdV/dt, jaminan 100% EAS dan pilihan untuk peranti mesra alam.

Aplikasi

Titik Beban Frekuensi Tinggi Segerak , Penukar Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA , Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian , Suis Beban, E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, bekalan kuasa kecemasan, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta , pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
		10s	Keadaan Tetap
VDS	Voltan Punca Parit	-20		V
VGS	Voltan Punca Pintu	±12		V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	-200		A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	360		mJ
IAS	Arus Salju	-55.4		A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	80		W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150		℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150		℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-4.5V , ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=-5V , ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Jumlah Caj Pintu (-4.5V)	VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	9.1	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	13	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	77	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	195	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	186	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	520	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	445	---