WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6.8mΩ

ID:-70A

Saluran:P-Saluran

Pakej:KE-252

Produk Summery:MOSFET WSF70P02 mempunyai voltan -20V, arus -70A, rintangan 6.8mΩ, P-Channel dan pembungkusan TO-252.

Aplikasi:E-rokok, pengecas wayarles, motor, sandaran kuasa, dron, penjagaan kesihatan, pengecas kereta, pengawal, elektronik, perkakas dan barangan pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSF70P02 MOSFET ialah peranti parit saluran P berprestasi tinggi dengan ketumpatan sel yang tinggi.Ia menawarkan RDSON dan caj pintu yang luar biasa untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.Peranti ini memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau, 100% dijamin EAS, dan telah diluluskan untuk kebolehpercayaan fungsi penuh.

ciri-ciri

Teknologi Parit Termaju dengan ketumpatan sel yang tinggi, cas pintu super rendah, pengurangan yang sangat baik dalam kesan CdV/dt, jaminan 100% EAS dan pilihan untuk peranti mesra alam.

Aplikasi

Titik Beban Frekuensi Tinggi Segerak , Penukar Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA , Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian , Suis Beban, E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, bekalan kuasa kecemasan, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta , pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
		10s	Keadaan Teguh
VDS	Voltan Punca Parit	-20		V
VGS	Voltan Punca Pintu	±12		V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Arus Longkang Berdenyutan2	-200		A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	360		mJ
IAS	Arus Salju	-55.4		A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	80		W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150		℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150		℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-4.5V , ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=-5V , ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Jumlah Caj Pintu (-4.5V)	VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	9.1	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	13	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	77	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	195	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	186	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	520	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	445	---