WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Saluran:Saluran N&P

Pakej:KE-252-4L

Produk Summery:MOSFET WSF6012 mempunyai julat voltan 60V dan -60V, boleh mengendalikan arus sehingga 20A dan -15A, mempunyai rintangan 28mΩ dan 75mΩ, menampilkan kedua-dua N&P-Channel, dan dibungkus dalam TO-252-4L.

Permohonan:E-rokok, pengecas wayarles, motor, sandaran kuasa, dron, penjagaan kesihatan, pengecas kereta, pengawal, elektronik, perkakas dan barangan pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSF6012 MOSFET ialah peranti berprestasi tinggi dengan reka bentuk ketumpatan sel yang tinggi. Ia menyediakan RDSON yang sangat baik dan caj pintu yang sesuai untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. Selain itu, ia memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau, serta dilengkapi dengan jaminan 100% EAS untuk kefungsian dan kebolehpercayaan penuh.

Ciri-ciri

Teknologi Parit Termaju dengan Ketumpatan Sel Tinggi, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan Kesan CdV/dt Cemerlang, Jaminan EAS 100% dan Pilihan Peranti Mesra Alam.

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik-Beban Frekuensi Tinggi, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Suis Beban, E-rokok, pengecasan wayarles, motor, bekalan kuasa kecemasan, dron, penjagaan kesihatan, pengecas kereta, pengawal, peranti digital, peralatan rumah kecil, dan elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS AOD603A,

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
Simbol	Parameter	Saluran-N	P-Saluran	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	60	-60	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	46	-36	A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	200	180	mJ
IAS	Arus Salju	59	-50	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	34.7	34.7	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=10V , ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=4.5V , ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=5V , ID=8A	---	21	---	S
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Jumlah Caj Gate (4.5V)	VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	3.5	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	6.3	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=30V , VGS=4.5V , RG=3.3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	14.2	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	24.6	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	4.6	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	70	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	35	---