WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Deskripsi umum
WSF4022 ialah parit Dwi N-Ch MOSFET berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSF4022 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan fungsi penuh kebolehpercayaan diluluskan.
ciri-ciri
Untuk Jambatan H Pra-pemandu Kipas, Kawalan Motor, Pembetulan Segerak, E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, bekalan kuasa kecemasan, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.
Aplikasi
Untuk Jambatan H Pra-pemandu Kipas, Kawalan Motor, Pembetulan Segerak, E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, bekalan kuasa kecemasan, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.
nombor bahan yang sepadan
AOS
Parameter penting
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit | |
| VDS | Voltan Punca Parit | 40 | V | |
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±20 | V | |
| ID | Arus Parit (Berterusan) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Arus Parit (Berterusan) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Arus Parit (Berterusan) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Arus Parit (Berterusan) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Arus Longkang Berdenyut | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Tenaga Avalanche Nadi Tunggal | L=0.5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Arus Salju | L=0.5mH | 17.8 | A |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Pelesapan Kuasa | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Pelesapan Kuasa | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Julat Suhu Persimpangan Operasi | 175 | ℃ | |
| TSTG | Suhu Operasi/ Suhu Penyimpanan | -55~175 | ℃ | |
| RθJA b | Persimpangan Rintangan Terma-Ambien | Keadaan Teguh c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Persimpangan Rintangan Terma ke Kes | 3.8 | ℃/W |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| Statik | ||||||
| V(BR)DSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Arus Parit Voltan Gerbang Sifar | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Arus Parit Voltan Gerbang Sifar | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Arus Kebocoran Pintu | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(on) d | Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Charge | ||||||
| Qg | Jumlah Caj Pintu | VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Caj Sumber Pintu | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Caj Parit Pintu | 2.75 | nC | |||
| Dinamik | ||||||
| Ciss | Kapasitan Input | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Kapasitan Keluaran | 95 | pF | |||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | 60 | pF | |||
| td (hidup) | Hidupkan Masa Lengah | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Hidupkan Masa Bangkit | 6.9 | ns | |||
| td(mati) | Matikan Masa Lengah | 22.4 | ns | |||
| tf | Matikan Masa Musim Gugur | 4.8 | ns | |||
| Diod | ||||||
| VSDd | Voltan Hadapan Diod | ISD=1A, VGS=0V | 0.75 | 1.1 | V | |
| trr | Kapasitan Input | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Kapasitan Keluaran | 8.7 | nC | |||
