WSD75N12GDN56 N-saluran 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD75N12GDN56 MOSFET ialah 120V, arus ialah 75A, rintangan ialah 6mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
Peralatan perubatan MOSFET, dron MOSFET, bekalan kuasa PD MOSFET, bekalan kuasa LED MOSFET, MOSFET peralatan industri.
Medan aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDSS | Voltan Parit-ke-Sumber | 120 | V |
| VGS | Voltan Pintu-ke-Sumber | ±20 | V |
| ID | 1 Arus Parit Berterusan (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Arus Parit Berterusan (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Arus Longkang Berdenyut | 320 | A |
| IAR | Arus salji nadi tunggal | 40 | A |
| EASa | Tenaga salji nadi tunggal | 240 | mJ |
| PD | Pelesapan Kuasa | 125 | W |
| TJ，Tstg | Persimpangan Operasi dan Julat Suhu Storan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TL | Suhu Maksimum untuk Memateri | 260 | ℃ |
| RθJC | Rintangan Terma, Persimpangan-ke-Kes | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Rintangan Terma, Persimpangan-ke-Ambien | 50 | ℃/W |
| Simbol | Parameter | Syarat Ujian | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| VDSS | Longkang ke Voltan Pecah Sumber | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Longkang ke Sumber Kebocoran Arus | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Pintu ke Sumber Kebocoran Hadapan | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Pintu ke Sumber Kebocoran Songsang | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Voltan Ambang Pintu | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Longkang-ke-Sumber Atas Rintangan | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transkonduktans Hadapan | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Kapasitan Input | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Rintangan pintu | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(HIDUP) | Hidupkan Masa Lengah | ID =20A VDS = 50V VGS = RG 10V = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Masa Bangkit | -- | 11 | -- | ns | |
| td(MATI) | Masa Lengah Matikan | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Masa Kejatuhan | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Jumlah Caj Pintu | VGS =0~10V VDS = 50VID =20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Caj Longkang Pintu | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Arus Hadapan Diod | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Arus Nadi Diod | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Voltan Hadapan Diod | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Masa Pemulihan Songsang | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Caj Pemulihan Songsang | -- | 250 | -- | nC |
