WSD75100DN56 N-saluran 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD75100DN56 MOSFET ialah 75V, arus ialah 100A, rintangan ialah 5.3mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, dron MOSFET, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.
WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NEG7NS3NEG7NSFET IR MOSFET BSC42NEG7NS3NEG7NSFET7NSFET7NSFET7NSFET 6NSFET. .
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDS | Voltan Punca Parit | 75 | V |
| VGS | Pintu-Source Voltan | ±25 | V |
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | °C |
| ID | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | °C |
| IS | Diod Arus Hadapan Berterusan,TC=25°C | 50 | A |
| ID | Arus Parit Berterusan, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Arus Parit Berterusan, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Arus Parit Berdenyut ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum,TC=25°C | 155 | W |
| Pelesapan Kuasa Maksimum,TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Rintangan Terma-Simpang ke Ambien ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Rintangan Terma-Simpang ke Ambien, Keadaan Stabil | 60 | °C | |
| RqJC | Rintangan Terma-Simpang ke Kes | 0.8 | °C |
| IAS | Arus Salju, Nadi tunggal, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSPekali Suhu | Rujukan kepada 25℃, sayaD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(HIDUP) | Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 | VGS=10V , ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS, sayaD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Pekali Suhu | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transkonduktans Hadapan | VDS=5V , ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Rintangan Pintu | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Jumlah Caj Gate (10V) | VDS=20V , VGS=10V , ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Caj Parit Pintu | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Masa Lengah Hidupkan | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, sayaD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Masa Bangkit | --- | 14 | 26 | ||
| Td(mati) | Masa Lengah Matikan | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Masa Kejatuhan | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Kapasitan Input | VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | 100 | 195 | 250 |
