WSD60N12GDN56 N-saluran 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD60N12GDN56 N-saluran 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor Bahagian:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Saluran:saluran-N

Pakej:DFN5X6-8


Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET

Voltan WSD60N12GDN56 MOSFET ialah 120V, arus ialah 70A, rintangan ialah 10mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.

Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET peralatan perubatan, dron MOSFET, bekalan kuasa PD MOSFET, bekalan kuasa LED MOSFET, MOSFET peralatan industri.

Medan aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC974X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Penilaian

Unit

VDS

Voltan Punca Parit

120

V

VGS

Voltan Punca Pintu

±20

V

ID@TC=25 ℃

Arus Longkang Berterusan

70

A

IDP

Arus Longkang Berdenyut

150

A

EAS

Tenaga Avalanche, Nadi tunggal

53.8

mJ

PD@TC=25 ℃

Jumlah Pelesapan Kuasa

140

W

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ 

Julat Suhu Persimpangan Operasi

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

syarat

Min.

Taip.

Maks.

Unit

BVDSS 

Voltan Pecah Punca Parit VGS=0V , ID=250uA

120

---

---

V

  Sumber Parit Statik Pada Rintangan VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(HIDUP)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(th)

Voltan Ambang Pintu VGS=VDS, sayaD=250uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Parit VDS=80V , VGS=0V , TJ=25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Pintu VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Jumlah Caj Gate (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Caj Sumber Pintu

---

5.6

---

Qgd 

Caj Parit Pintu

---

7.2

---

Td(on)

Masa Lengah Hidupkan VDD=50V , VGS=10V ,

RG=2Ω, ID=25A

---

22

---

ns

Tr 

Masa Bangkit

---

10

---

Td(mati)

Masa Lengah Matikan

---

85

---

Tf 

Masa Kejatuhan

---

112

---

Ciss 

Kapasitan Input VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz

---

2640

---

pF

Coss

Kapasitan Keluaran

---

330

---

Crss 

Kapasitan Pemindahan Songsang

---

11

---

IS 

Sumber Berterusan Arus VG=VD=0V , Daya Arus

---

---

50

A

ISP

Denyutan Sumber Arus

---

---

150

A

VSD

Voltan Hadapan Diod VGS=0V , IS=12A , TJ=25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Masa Pemulihan Songsang IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃

---

62

---

nS

Qrr 

Caj Pemulihan Songsang

---

135

---

nC

 


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantarkan kepada kami