WSD60N10GDN56 N-saluran 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD60N10GDN56 MOSFET ialah 100V, arus ialah 60A, rintangan ialah 8.5mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET e-rokok, MOSFET pengecasan tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.
Medan aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFNSHET B3NSHAY MOSFET,1IR87ADP.INFINEON,1. TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDS | Voltan Punca Parit | 100 | V |
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Arus Longkang Berterusan | 60 | A |
| IDP | Arus Longkang Berdenyut | 210 | A |
| EAS | Tenaga Avalanche, Nadi tunggal | 100 | mJ |
| PD@TC=25 ℃ | Jumlah Pelesapan Kuasa | 125 | W |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Julat Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Sumber Parit Statik Pada Rintangan | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(HIDUP) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS, sayaD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Jumlah Caj Gate (10V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Caj Parit Pintu | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(on) | Masa Lengah Hidupkan | VDD=50V , VGS=10V ,RG=2.2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Masa Bangkit | --- | 5 | --- | ||
| Td(mati) | Masa Lengah Matikan | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Masa Kejatuhan | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Kapasitan Input | VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Sumber Berterusan Arus | VG=VD=0V , Daya Arus | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Denyutan Sumber Arus | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Voltan Hadapan Diod | VGS=0V , IS=12A , TJ=25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Masa Pemulihan Songsang | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Caj Pemulihan Songsang | --- | 106.1 | --- | nC |
