WSD6070DN56 N-saluran 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD6070DN56 MOSFET ialah 60V, arus ialah 80A, rintangan ialah 7.3mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.
WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDS | Voltan Punca Parit | 60 | V |
| VGS | Pintu-Source Voltan | ±20 | V |
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | °C |
| ID | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | °C |
| IS | Diod Arus Hadapan Berterusan,TC=25°C | 80 | A |
| ID | Arus Parit Berterusan, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Arus Parit Berterusan, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Arus Parit Berdenyut ,TC=25°C | 300 | A |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum,TC=25°C | 150 | W |
| Pelesapan Kuasa Maksimum,TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Rintangan Terma-Simpang ke Ambien ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Rintangan Terma-Simpang ke Ambien, Keadaan Stabil | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | Rintangan Terma-Simpang ke Kes | 1 | °C/W |
| IAS | Arus Salju, Nadi tunggal, L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH | 225 | mJ |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSPekali Suhu | Rujukan kepada 25℃, sayaD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(HIDUP) | Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 | VGS=10V , ID=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS, sayaD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Pekali Suhu | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transkonduktans Hadapan | VDS=5V , ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Rintangan Pintu | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Jumlah Caj Gate (10V) | VDS=30V , VGS=10V , ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Caj Parit Pintu | --- | 12 | --- | ||
| Td(on) | Masa Lengah Hidupkan | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, sayaD=1A ,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Masa Bangkit | --- | 10 | --- | ||
| Td(mati) | Masa Lengah Matikan | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Masa Kejatuhan | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Kapasitan Input | VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | --- | 160 | --- |
