WSD6060DN56 N-saluran 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Bahagian：WSD6060DN56

BVDSS：60V

ID：65A

RDSON：7.5mΩ

Saluran：saluran-N

Pakej：DFN5X6-8

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET

Voltan WSD6060DN56 MOSFET ialah 60V, arus ialah 65A, rintangan ialah 7.5mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.

Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.

WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.

Parameter MOSFET

Simbol	Parameter		Penilaian	Unit
Penilaian Biasa
VDSS	Voltan Punca Parit		60	V
VGSS	Voltan Punca Pintu		±20	V
T_J	Suhu Persimpangan Maksimum		150	°C
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan		-55 hingga 150	°C
I_S	Diod Arus Hadapan Berterusan	T_c=25°C	30	A
ID	Arus Longkang Berterusan	T_c=25°C	65	A
ID	Arus Longkang Berterusan	T_c=70°C	42	A
Saya DM b	Arus Parit Nadi Diuji	T_c=25°C	250	A
P_D	Pelesapan Kuasa Maksimum	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Pelesapan Kuasa Maksimum	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Rintangan Terma-Simpangan ke Plumbum	Keadaan Tetap	2.1	°C/W
RqJA	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien	Keadaan Tetap^b	50	°C/W
SAYA AS^d	Arus Salju, Nadi tunggal	L=0.5mH	18	A
E AS d	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal	L=0.5mH	81	mJ

Simbol	Parameter	Syarat Ujian		Min.	Taip.	Maks.	Unit
Ciri-ciri Statik
BV_DSS	Voltan Pecah Punca Parit	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Arus Parit Voltan Gerbang Sifar	V_DS=48V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Arus Parit Voltan Gerbang Sifar						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	V_DS=V_GS, saya_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Pintu	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(HIDUP) 3	Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(HIDUP) 3	Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit	V_GS=4.5V, I_DS=15 A		-	10	15	m W
Ciri-ciri Diod
V SD	Voltan Hadapan Diod	I_SD=1A, V_GS=0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	Masa Pemulihan Songsang	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Caj Pemulihan Songsang	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Ciri Dinamik^3,4
R_G	Rintangan Pintu	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Kapasitan Input	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Kapasitan Keluaran			-	270	-
C_rss	Kapasitan Pemindahan Songsang			-	40	-
td(HIDUP)	Hidupkan Masa Lengah	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Hidupkan Masa Bangkit			-	6	-
td( DIMATIKAN)	Matikan Masa Lengah			-	33	-
t_f	Matikan Masa Musim Gugur			-	30	-
Ciri-ciri Caj Pintu ^3,4
Q_g	Jumlah Caj Pintu	V_DS=30V, V_GS=4.5V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Jumlah Caj Pintu	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Caj Gerbang Ambang			-	4.1	-
Q_gs	Caj Sumber Pintu			-	5	-
Q_gd	Caj Parit Pintu			-	4.2	-