WSD6040DN56 N-saluran 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD6040DN56 MOSFET ialah 60V, arus ialah 36A, rintangan ialah 14mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.
WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC6964X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit | ||
| VDS | Voltan Punca Parit | 60 | V | ||
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±20 | V | ||
| ID | Arus Longkang Berterusan | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Arus Longkang Berterusan | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Arus Longkang Berdenyut | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum | TC=25°C | 37.8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Arus Salju, Nadi tunggal | L=0.5mH | 16 | A | |
| EASc | Tenaga Avalanche Nadi Tunggal | L=0.5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diod Arus Hadapan Berterusan | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Persimpangan Rintangan Terma ke ambien | Keadaan Tetap | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Rintangan Terma-Simpang ke Kes | Keadaan Tetap | 3.3 | ℃/W | |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit | |
| Statik | |||||||
| V(BR)DSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Arus Parit Voltan Gerbang Sifar | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Arus Kebocoran Pintu | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Mengenai Ciri | |||||||
| VGS(TH) | Voltan Ambang Pintu | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(on)d | Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Bertukar | |||||||
| Qg | Jumlah Caj Pintu | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Caj Gate-Sour | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Caj Parit Pintu | 9.6 | nC | ||||
| td (hidup) | Hidupkan Masa Lengah | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Hidupkan Masa Bangkit | 9 | ns | ||||
| td(mati) | Matikan Masa Lengah | 58 | ns | ||||
| tf | Matikan Masa Musim Gugur | 14 | ns | ||||
| Rg | Rintangan Gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinamik | |||||||
| Ciss | Dalam Kapasitansi | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Kapasitan Keluar | 140 | pF | ||||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | 100 | pF | ||||
| Ciri-ciri Diod Sumber Parit dan Penarafan Maksimum | |||||||
| IS | Sumber Berterusan Arus | VG=VD=0V , Daya Arus | 18 | A | |||
| ISM | Denyutan Sumber Arus3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Voltan Hadapan Diod | ISD = 20A , VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Masa Pemulihan Songsang | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Caj Pemulihan Songsang | 33 | nC | ||||
