WSD45N10GDN56 N-saluran 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD45N10GDN56 N-saluran 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Bahagian:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14.5mΩ

Saluran:saluran-N

Pakej:DFN5X6-8


Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET

Voltan WSD45N10GDN56 MOSFET ialah 100V, arus ialah 45A, rintangan ialah 14.5mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.

Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.

WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC966X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Penilaian

Unit

VDS

Voltan Punca Parit

100

V

VGS

Pintu-Source Voltan

±20

V

ID@TC=25

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V

9.6

A

IDMa

Arus Longkang Berdenyut

130

A

EASb

Tenaga Avalanche Nadi Tunggal

169

mJ

IASb

Arus Salju

26

A

PD@TC=25

Jumlah Pelesapan Kuasa

95

W

PD@TA=25

Jumlah Pelesapan Kuasa

5.0

W

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Julat Suhu Persimpangan Operasi

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

syarat

Min.

Taip.

Maks.

Unit

BVDSS

Voltan Pecah Punca Parit VGS=0V , ID=250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Pekali Suhu BVDSS Rujukan kepada 25, sayaD=1mA

---

0.0

---

V/

RDS(HIDUP)d

Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 VGS=10V , ID=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Voltan Ambang Pintu VGS=VDS, sayaD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Pekali Suhu

---

-5   mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Parit VDS=80V , VGS=0V , TJ=25

---

- 1

uA

VDS=80V , VGS=0V , TJ=55

---

- 30

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Pintu VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Rintangan Pintu VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Jumlah Caj Gate (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=26A

---

42

59

nC

Qgse

Caj Sumber Pintu

---

12

--

Qgde

Caj Parit Pintu

---

12

---

Td(on)e

Masa Lengah Hidupkan VDD=30V , VGEN=10V , RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Masa Bangkit

---

9

17

Td(mati)e

Masa Lengah Matikan

---

36

65

Tfe

Masa Kejatuhan

---

22

40

Cisse

Kapasitan Input VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Kapasitan Keluaran

---

215

---

Crsse

Kapasitan Pemindahan Songsang

---

42

---


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantar kepada kami