WSD45N10GDN56 N-saluran 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD45N10GDN56 MOSFET ialah 100V, arus ialah 45A, rintangan ialah 14.5mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET e-rokok, MOSFET pengecasan tanpa wayar, MOSFET motor, MOSFET dron, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.
WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC966X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDS | Voltan Punca Parit | 100 | V |
| VGS | Pintu-Source Voltan | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Arus Longkang Berdenyut | 130 | A |
| EASb | Tenaga Avalanche Nadi Tunggal | 169 | mJ |
| IASb | Arus Salju | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Jumlah Pelesapan Kuasa | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Jumlah Pelesapan Kuasa | 5.0 | W |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Julat Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Pekali Suhu BVDSS | Rujukan kepada 25℃, sayaD=1mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
| RDS(HIDUP)d | Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 | VGS=10V , ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS, sayaD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Pekali Suhu | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Rintangan Pintu | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Jumlah Caj Gate (10V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Caj Sumber Pintu | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Caj Parit Pintu | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | Masa Lengah Hidupkan | VDD=30V , VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A ,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Masa Bangkit | --- | 9 | 17 | ||
| Td(mati)e | Masa Lengah Matikan | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Masa Kejatuhan | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Kapasitan Input | VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Kapasitan Keluaran | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Kapasitan Pemindahan Songsang | --- | 42 | --- |
