WSD4098 Dwi N-Saluran 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Ini ialah bank kuasa wayarles magnet yang secara automatik mengenali telefon Apple dan tidak memerlukan pengaktifan butang. Ia menyepadukan 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC input dan output protokol pengecasan pantas. Ia adalah produk bank kuasa tanpa wayar yang serasi dengan penukar rangsangan/langkah turun segerak telefon bimbit Apple/Samsung, pengurusan pengecasan bateri Li, petunjuk kuasa tiub digital, pengecasan wayarles magnetik dan fungsi lain.

Nombor Model:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7.8mΩ

ID:22A

Saluran:Dwi Saluran N

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD4098 MOSFET ialah 40V, arus ialah22A, rintangannya ialah 7.8mΩ, salurannya ialah Dwi-N-Channel, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Permohonan:E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSD4098DN56 ialah MOSFET Dwi N-Ch berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSD4098DN56 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

Ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik, Dijamin EAS 100%, Peranti Hijau Tersedia

Aplikasi

Titik Beban Frekuensi Tinggi Segerak, Penukar Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Suis Beban, E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, digital produk, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS AON6884

Parameter penting

Simbol	Parameter		Penilaian	Unit
Penilaian Biasa
VDSS	Voltan Punca Parit		40	V
VGSS	Voltan Punca Pintu		±20	V
TJ	Suhu Persimpangan Maksimum		150	°C
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan		-55 hingga 150	°C
IS	Diod Arus Hadapan Berterusan	TA=25°C	11.4	A
ID	Arus Longkang Berterusan	TA=25°C	22	A
ID	Arus Longkang Berterusan			A
		TA=70°C	22
Saya DM b	Arus Parit Nadi Diuji	TA=25°C	88	A
PD	Pelesapan Kuasa Maksimum	T. =25°C	25	W
PD	Pelesapan Kuasa Maksimum	TC=70°C	10	W
RqJL	Rintangan Terma-Simpangan ke Plumbum	Keadaan Tetap	5	°C/W
RqJA	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien	Keadaan Tetap b	90	°C/W
I AS d	Arus Salju, Nadi tunggal	L=0.5mH	28	A
E AS d	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal	L=0.5mH	39.2	mJ

Simbol	Parameter	Syarat Ujian		Min.	Taip.	Maks.	Unit
Ciri-ciri Statik
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Arus Parit Voltan Gerbang Sifar	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Arus Parit Voltan Gerbang Sifar						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Pintu	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit	VGS=4.5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Ciri-ciri Diod
V SD e	Voltan Hadapan Diod	ISD=1A, VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	Masa Pemulihan Songsang	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Caj Pemulihan Songsang	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Ciri Dinamik f
RG	Rintangan Pintu	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Kapasitan Input	VGS=0V, VDS=20V, Kekerapan=1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Kapasitan Keluaran			-	317	-
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang			-	96	-
td(HIDUP)	Hidupkan Masa Lengah	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Hidupkan Masa Bangkit			-	8	-
td( DIMATIKAN)	Matikan Masa Lengah			-	30	-
tf	Matikan Masa Musim Gugur			-	21	-
Ciri-ciri Caj Pintu f
Qg	Jumlah Caj Pintu	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Jumlah Caj Pintu	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Caj Gerbang Ambang			-	2.6	-
Qgs	Caj Sumber Pintu			-	4.7	-
Qgd	Caj Parit Pintu			-	3	-