WSD40120DN56 N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD40120DN56 N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Bahagian:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1.85mΩ 

Saluran:saluran-N

Pakej:DFN5X6-8


Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET

Voltan WSD40120DN56 MOSFET ialah 40V, arus ialah 120A, rintangan ialah 1.85mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.

Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pengecas tanpa wayar, dron MOSFET, MOSFET penjagaan perubatan, MOSFET pengecas kereta, MOSFET pengawal, MOSFET produk digital, MOSFET perkakas rumah kecil, MOSFET elektronik pengguna.

WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PHSH484SPAN 44.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC496X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Penilaian

Unit

VDS

Voltan Punca Parit

40

V

VGS

Pintu-Source Voltan

±20

V

ID@TC=25

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Arus Longkang Berdenyut2

400

A

EAS

Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3

240

mJ

IAS

Arus Salju

31

A

PD@TC=25

Jumlah Pelesapan Kuasa4

104

W

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Julat Suhu Persimpangan Operasi

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

syarat

Min.

Taip.

Maks.

Unit

BVDSS

Voltan Pecah Punca Parit VGS=0V , ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSPekali Suhu Rujukan kepada 25, sayaD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(HIDUP)

Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 VGS=10V , ID=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS(HIDUP)

Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 VGS=4.5V , ID=20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Voltan Ambang Pintu VGS=VDS, sayaD=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Pekali Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Parit VDS=32V , VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Pintu VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transkonduktans Hadapan VDS=5V , ID=20A

---

55

---

S

Rg

Rintangan Pintu VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Jumlah Caj Gate (10V) VDS=20V , VGS=10V , ID=10A

---

76

91

nC

Qgs

Caj Sumber Pintu

---

12

14.4

Qgd

Caj Parit Pintu

---

15.5

18.6

Td(on)

Masa Lengah Hidupkan VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, sayaD=1A ,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Masa Bangkit

---

10

12

Td(mati)

Masa Lengah Matikan

---

58

69

Tf

Masa Kejatuhan

---

34

40

Ciss

Kapasitan Input VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

Kapasitan Keluaran

---

690

---

Crss

Kapasitan Pemindahan Songsang

---

370

---


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Tulis mesej anda di sini dan hantar kepada kami