WSD30L88DN56 Dwi P-saluran -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11.5mΩ

ID:-49A

Saluran:Dwi saluran P

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD30L88DN56 MOSFET ialah -30V, arus ialah-49A, rintangan ialah 11.5mΩ, saluran ialah Dwi P-saluran, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Aplikasi:E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSD30L88DN56 ialah MOSFET Dwi P-Ch berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.WSD30L88DN56 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi yang termaju ，Caj Pintu Super Rendah ，Penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik ，100% Dijamin EAS ，Peranti Hijau Tersedia.

Aplikasi

Titik Beban Frekuensi Tinggi Segerak，Penukar Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA，Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian，Suis Beban，E-rokok, pengecasan tanpa wayar, motor, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, digital produk, perkakas rumah kecil, elektronik pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	-30	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Arus Longkang Berdenyutan2	-120	A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	68	mJ
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	40	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	℃