WSD3023DN56 N-Ch dan P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

ID:14A/-12A

Saluran:N-Ch dan P-Channel

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD3023DN56 MOSFET ialah 30V/-30V, arus ialah14A/-12A, rintangan ialah 14mΩ/23mΩ, salurannya ialah N-Ch dan P-Channel, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Aplikasi:Dron, motor, elektronik automotif, peralatan utama.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSD3023DN56 ialah MOSFET N-ch dan P-ch berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.WSD3023DN56 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik, Dijamin EAS 100%, Peranti Hijau Tersedia.

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Penyongsang Lampu Belakang CCFL, Drone, motor, elektronik automotif, peralatan utama.

nombor bahan yang sepadan

PANJIT PJQ5606

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
Simbol	Parameter	N-Ch	P-Ch	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	30	-30	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	±20	V
ID	Arus Parit Berterusan, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Arus Parit Berterusan, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	Arus Parit Denyutan Diuji, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH	20	20	mJ
IAS c	Arus Salju, Nadi tunggal , L=0.5mH	9	-9	A
PD	Jumlah Pelesapan Kuasa, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	-55 hingga 175	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	175	175	℃
RqJA b	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien, Keadaan Stabil	60	60	℃/W
RqJC	Rintangan Terma-Simpang ke Kes, Keadaan Tetap	6.25	6.25	℃/W

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=10V , ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=4.5V , ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Jumlah Caj Pintu	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Caj Sumber Pintu		---	1.0	---
Qgde	Caj Parit Pintu		---	2.8	---
Td(on)e	Masa Lengah Hidupkan	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Masa Bangkit		---	8.6	---
Td(mati)e	Masa Lengah Matikan		---	16	---
Tfe	Masa Kejatuhan		---	3.6	---
Cisse	Kapasitan Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Kapasitan Keluaran		---	95	---
Crsse	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	55	---