WSD3023DN56 N-Ch dan P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

ID:14A/-12A

Saluran:N-Ch dan P-Channel

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD3023DN56 MOSFET ialah 30V/-30V, arus ialah14A/-12A, rintangan ialah 14mΩ/23mΩ, salurannya ialah N-Ch dan P-Channel, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Permohonan:Dron, motor, elektronik automotif, peralatan utama.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSD3023DN56 ialah MOSFET N-ch dan P-ch berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSD3023DN56 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

Ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik, Dijamin EAS 100%, Peranti Hijau Tersedia.

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Kuasa DC-DC Rangkaian, Penyongsang Lampu Belakang CCFL, Drone, motor, elektronik automotif, peralatan utama.

nombor bahan yang sepadan

PANJIT PJQ5606

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
Simbol	Parameter	N-Ch	P-Ch	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	30	-30	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	±20	V
ID	Arus Parit Berterusan, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Arus Parit Berterusan, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
IDP a	Arus Parit Denyutan Diuji, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Tenaga Avalanche, Nadi tunggal, L=0.5mH	20	20	mJ
IAS c	Arus Salju, Nadi tunggal , L=0.5mH	9	-9	A
PD	Jumlah Pelesapan Kuasa, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	-55 hingga 175	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	175	175	℃
RqJA b	Rintangan Terma-Simpang ke Ambien, Keadaan Stabil	60	60	℃/W
RqJC	Rintangan Terma-Simpang ke Kes, Keadaan Tetap	6.25	6.25	℃/W

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=10V , ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=4.5V , ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Jumlah Caj Pintu	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Caj Sumber Pintu		---	1.0	---
Qgde	Caj Parit Pintu		---	2.8	---
Td(on)e	Masa Lengah Hidupkan	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Masa Bangkit		---	8.6	---
Td(mati)e	Masa Lengah Matikan		---	16	---
Tfe	Masa Kejatuhan		---	3.6	---
Cisse	Kapasitan Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Kapasitan Keluaran		---	95	---
Crsse	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	55	---