WSD30140DN56 N-saluran 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1.7mΩ

ID:85A

Saluran:saluran-N

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD30140DN56 MOSFET ialah 30V, arus ialah 85A, rintangan ialah 1.7mΩ, saluran adalah saluran-N, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Permohonan:Rokok elektronik, pengecas tanpa wayar, dron, penjagaan perubatan, pengecas kereta, pengawal, produk digital, peralatan kecil, elektronik pengguna, dsb.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSD30140DN56 ialah MOSFET saluran N parit prestasi tertinggi dengan ketumpatan sel yang sangat tinggi memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak. WSD30140DN56 mematuhi RoHS dan keperluan produk hijau, jaminan 100% EAS, kebolehpercayaan fungsi penuh diluluskan.

Ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi yang canggih, pengecasan pintu ultra-rendah, pengecilan kesan CdV/dt yang sangat baik, jaminan 100% EAS, peranti hijau tersedia

Aplikasi

Penyegerakan titik beban frekuensi tinggi, penukar wang, sistem kuasa DC-DC rangkaian, aplikasi alat elektrik, rokok elektronik, pengecasan tanpa wayar, dron, penjagaan perubatan, pengecasan kereta, pengawal, produk digital, peralatan kecil, elektronik pengguna

nombor bahan yang sepadan

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. PADA NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	30	V
VGS	Voltan Punca Pintu	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	300	A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	50	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃, ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=10V , ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=4.5V , ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=5V , ID=20A	---	90	---	S
Qg	Jumlah Caj Gate (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	9.5	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	11.4	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	6	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	38.5	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	10	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	1280	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	160	---