WSD20L120DN56 P-saluran -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Imej Yang Ditampilkan

penerangan ringkas:

Nombor Model:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2.1mΩ

ID:-120A

Saluran:saluran P

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:MOSFET WSD20L120DN56 beroperasi pada -20 volt dan mengeluarkan arus sebanyak -120 amp. Ia mempunyai rintangan 2.1 miliohm, saluran P, dan didatangkan dalam pakej DFN5*6-8.

Permohonan:E-rokok, pengecas tanpa wayar, motor, dron, peralatan perubatan, pengecas kereta, pengawal, peranti digital, perkakas kecil dan elektronik pengguna.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Penerangan Umum

WSD20L120DN56 ialah MOSFET P-Ch berprestasi tinggi dengan struktur sel berketumpatan tinggi, memberikan RDSON dan caj gerbang yang hebat untuk kebanyakan kegunaan penukar wang segerak. WSD20L120DN56 memenuhi 100% keperluan EAS untuk RoHS dan produk mesra alam, dengan kelulusan kebolehpercayaan fungsi penuh.

Ciri-ciri

1, teknologi Parit ketumpatan sel tinggi termaju
2, Caj Pintu Super Rendah
3, Penurunan kesan CdV/dt yang sangat baik
4, 100% EAS Dijamin 5, Peranti Hijau Tersedia

Aplikasi

Penukar Buck Segerak Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Rangkaian Sistem Kuasa DC-DC, Suis Beban, E-rokok, Pengecas Wayarles, Motor, Dron, Perubatan, Pengecas Kereta, Pengawal, Produk Digital, Peralatan Rumah Kecil, Elektronik Pengguna.

nombor bahan yang sepadan

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Parameter penting

Simbol	Parameter	Penilaian		Unit
Simbol	Parameter	10s	Keadaan Tetap	Unit
VDS	Voltan Punca Parit	-20		V
VGS	Voltan Punca Pintu	±10		V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-69.5		A
ID@TA=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Arus Longkang Berdenyut2	-340		A
EAS	Tenaga Avalanche Nadi Tunggal3	300		mJ
IAS	Arus Salju	-36		A
PD@TC=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	130		W
PD@TA=25℃	Jumlah Pelesapan Kuasa4	6.8	6.25	W
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150		℃
TJ	Julat Suhu Persimpangan Operasi	-55 hingga 150		℃

Simbol	Parameter	syarat	Min.	Taip.	Maks.	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=-1mA	---	-0.0212	---	V/℃
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2	VGS=-4.5V , ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan2					mΩ
		VGS=-2.5V , ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	Pekali Suhu VGS(th).		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Parit					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Pintu	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transkonduktans Hadapan	VDS=-5V , ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Rintangan Pintu	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Jumlah Caj Pintu (-4.5V)	VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	21	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	32	---
Td(on)	Masa Lengah Hidupkan	VDD=-10V , VGEN=-4.5V , RG=3Ω ID=-1A ,RL=0.5Ω	---	20	---	ns
Tr	Masa Bangkit		---	50	---
Td(mati)	Masa Lengah Matikan		---	100	---
Tf	Masa Kejatuhan		---	40	---
Ciss	Kapasitan Input	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	380	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	290	---