WSD2090DN56 N-saluran 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Penerangan Ringkas:

Nombor model:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2.8mΩ

ID:80A

Saluran:saluran-N

Pakej:DFN5*6-8

Produk Summery:Voltan WSD2090DN56 MOSFET ialah 20V, arus ialah 80A, rintangan ialah 2.8mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5*6-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, dron, alat elektrik, senapang fascia, PD, perkakas rumah kecil, dsb.

Hantar e-mel kepada kami PDF

Butiran Produk

Permohonan

Tag Produk

Deskripsi umum

WSD2090DN56 ialah parit N-Ch MOSFET berprestasi tertinggi dengan ketumpatan sel tinggi yang melampau, yang memberikan RDSON dan caj pintu yang sangat baik untuk kebanyakan aplikasi penukar wang segerak.WSD2090DN56 memenuhi keperluan RoHS dan Produk Hijau 100% EAS dijamin dengan kebolehpercayaan fungsi penuh yang diluluskan.

ciri-ciri

Teknologi parit ketumpatan sel tinggi termaju, Caj Pintu Super Rendah, Penurunan kesan CdV / dt yang sangat baik, Dijamin EAS 100%, Peranti Hijau Tersedia

Aplikasi

Suis, Sistem Kuasa, Suis Beban, rokok elektronik, dron, alatan elektrik, senapang fascia, PD, perkakas rumah kecil, dsb.

nombor bahan yang sepadan

AOS AON6572

Parameter penting

Penilaian Maksimum Mutlak (TC=25℃ kecuali dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	Maks.	Unit
VDSS	Voltan Punca Parit	20	V
VGSS	Voltan Punca Pintu	±12	V
ID@TC=25℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Arus Parit Berterusan, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Longkang Berdenyut Nota semasa1	360	A
EAS	Nota Tenaga Avalanche Berdenyut Tunggal2	110	mJ
PD	Pelesapan Kuasa	81	W
RθJA	Rintangan Terma, Persimpangan ke Kes	65	℃/W
RθJC	Persimpangan Rintangan Terma-Kes 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Julat Suhu Operasi dan Penyimpanan	-55 hingga +175	℃

Ciri-ciri Elektrik (TJ=25 ℃, melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	syarat	Min	Taip	Maks	Unit
BVDSS	Voltan Pecah Punca Parit	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Pekali Suhu BVDSS	Rujukan kepada 25℃ , ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
VGS(th)	Voltan Ambang Pintu	VDS= VGS, ID=250μA	0.50	0.65	1.0	V
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=4.5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(HIDUP)	Sumber Parit Statik Pada Rintangan	VGS=2.5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Arus Parit Voltan Gerbang Sifar	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Arus Kebocoran Gate-Body	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Kapasitan Input	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Kapasitan Keluaran		---	460	---
Crss	Kapasitan Pemindahan Songsang		---	446	---
Qg	Jumlah Caj Pintu	VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Caj Sumber Pintu		---	1.73	---
Qgd	Caj Parit Pintu		---	3.1	---
tD(on)	Hidupkan Masa Lengah	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Hidupkan Masa Bangkit		---	37	---
tD(mati)	Matikan Masa Lengah		---	63	---
tf	Matikan masa jatuh		---	52	---
VSD	Voltan Hadapan Diod	IS=7.6A,VGS=0V	---	---	1.2	V