WSD100N15DN56G N-saluran 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD100N15DN56G MOSFET ialah 150V, arus ialah 100A, rintangan ialah 6mΩ, saluran adalah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
Bekalan kuasa perubatan MOSFET, MOSFET PD, MOSFET dron, MOSFET rokok elektronik, MOSFET perkakas utama dan MOSFET alat kuasa.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit |
| VDS | Voltan Punca Parit | 150 | V |
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±20 | V |
| ID | Arus Parit Berterusan, VGS@ 10V(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Arus Longkang Berdenyut | 360 | A |
| EAS | Tenaga Avalanche Nadi Tunggal | 400 | mJ |
| PD | Jumlah Pelesapan Kuasa...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | Rintangan terma, simpang-ambien | 62 | ℃/W |
| RθJC | Rintangan terma, kotak simpang | 0.78 | ℃/W |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 175 | ℃ |
| TJ | Julat Suhu Persimpangan Operasi | -55 hingga 175 | ℃ |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit |
| BVDSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS=0V , ID=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(HIDUP) | Sumber Parit Statik Pada Rintangan2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | Voltan Ambang Pintu | VGS=VDS, sayaD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Parit | VDS=100V , VGS=0V , TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Pintu | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Jumlah Caj Pintu | VDS=50V , VGS=10V , ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Caj Sumber Pintu | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Caj Parit Pintu | --- | 18 | --- | ||
| Td(on) | Masa Lengah Hidupkan | VDD=50V ,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Masa Bangkit | --- | 98 | --- | ||
| Td(mati) | Masa Lengah Matikan | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Masa Kejatuhan | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | Kapasitan Input | VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Coss | Kapasitan Keluaran | --- | 1730 | --- | ||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | --- | 195 | --- |
