WSD100N06GDN56 N-saluran 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Gambaran keseluruhan produk WINSOK MOSFET
Voltan WSD100N06GDN56 MOSFET ialah 60V, arus ialah 100A, rintangan ialah 3mΩ, salurannya ialah saluran N, dan pakejnya ialah DFN5X6-8.
Kawasan aplikasi WINSOK MOSFET
Bekalan kuasa perubatan MOSFET, MOSFET PD, MOSFET dron, MOSFET rokok elektronik, MOSFET perkakas utama dan MOSFET alat kuasa.
WINSOK MOSFET sepadan dengan nombor bahan jenama lain
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Penilaian | Unit | ||
| VDS | Voltan Punca Parit | 60 | V | ||
| VGS | Voltan Punca Pintu | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Arus Longkang Berterusan | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Arus Longkang Berdenyut | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Pelesapan Kuasa Maksimum | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Arus Salju, Nadi tunggal | 45 | A | ||
| EAS3 | Tenaga Avalanche Nadi Tunggal | 101 | mJ | ||
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Persimpangan Rintangan Terma ke ambien | Keadaan Teguh | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Rintangan Terma-Simpang ke Kes | Keadaan Teguh | 1.5 | ℃/W | |
| Simbol | Parameter | syarat | Min. | Taip. | Maks. | Unit | |
| Statik | |||||||
| V(BR)DSS | Voltan Pecah Punca Parit | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Arus Parit Voltan Gerbang Sifar | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Arus Kebocoran Pintu | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Mengenai Ciri | |||||||
| VGS(TH) | Voltan Ambang Pintu | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(on)2 | Rintangan Dalam Keadaan Sumber Parit | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Bertukar | |||||||
| Qg | Jumlah Caj Pintu | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Caj Gate-Sour | 16 | nC | ||||
| Qgd | Caj Parit Pintu | 4.0 | nC | ||||
| td (hidup) | Hidupkan Masa Lengah | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Hidupkan Masa Bangkit | 8 | ns | ||||
| td(mati) | Matikan Masa Lengah | 50 | ns | ||||
| tf | Matikan Masa Musim Gugur | 11 | ns | ||||
| Rg | Rintangan Gat | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0.7 | Ω | |||
| Dinamik | |||||||
| Ciss | Dalam Kapasitansi | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Kapasitan Keluar | 1522 | pF | ||||
| Crss | Kapasitan Pemindahan Songsang | 22 | pF | ||||
| Ciri-ciri Diod Sumber Parit dan Penarafan Maksimum | |||||||
| IS1,5 | Sumber Berterusan Arus | VG=VD=0V , Daya Arus | 55 | A | |||
| ISM | Denyutan Sumber Arus3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Voltan Hadapan Diod | ISD = 1A , VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Masa Pemulihan Songsang | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Caj Pemulihan Songsang | 33 | nC | ||||
